DRAM — Dinamik rastgele erişimli bellek

DRAM (Dynamic Random Access Memory, dinamik rastgele erişimli bellek), her biti küçük bir kondansatörde elektrik yükü olarak tutan ve bu yükü düzenli aralıklarla tazelemek zorunda olan geçici çalışma belleğidir. Kişisel bilgisayarların, akıllı telefonların, sunucuların ve grafik kartlarının ana belleği DRAM’dir. İşlemcinin o anda üzerinde çalıştığı veri burada durur, bu yüzden bir cihazın hem hızı hem maliyeti DRAM’e bağlıdır. Ürün büyük ölçüde standarttır ve fiyatı arz ile talebe göre sert dalgalanır. Dragonomi yazılarında DRAM, 2025 sonunda başlayan bellek kıtlığı, Samsung, SK hynix ve Micron’un rekor marjları, kontrat fiyatlarındaki artışlar ve yapay zekâ sunucularının bellek ihtiyacı bağlamında sık geçer.

Nasıl çalışır

DRAM’in temel yapı taşı tek bir transistör ile tek bir kondansatörden oluşan hücredir. Bu düzene sektörde 1T1C denir. Kondansatör doluysa hücre 1, boşsa 0 tutar. Transistör ise kondansatörü okuma hattına bağlayan ya da ondan ayıran bir anahtar gibi çalışır. Hücreler satır ve sütunlardan oluşan bir ızgaraya dizilir. Satırı seçen hatta kelime hattı (word line), veriyi taşıyan hatta bit hattı (bit line) denir. Adın "rastgele erişim" kısmı, herhangi bir adresteki veriye sırayla ilerlemeden doğrudan ulaşılabilmesi anlamına gelir.

Kondansatördeki yük zamanla sızar. Bu yüzden bellek denetleyicisi her satırı belirli aralıklarla okuyup yeniden yazar. Bu işleme tazeleme (refresh) denir ve JEDEC standartlarında normal sıcaklıkta her satırın 64 milisaniye içinde tazelenmesi istenir. Belleğin "dinamik" sayılmasının nedeni budur. Elektrik kesildiğinde yük de kaybolur, yani DRAM uçucu bir bellektir. Fotoğraf, uygulama ve işletim sistemi dosyaları kalıcı olarak NAND flash belleklerde saklanır, açılan uygulama ise çalışırken DRAM’e yüklenir.

Okuma işlemi çok küçük bir yük farkını ölçmeye dayanır. Bit hattının ucundaki algılama yükselticisi (sense amplifier), hücreden gelen zayıf sinyali büyüterek 0 mı 1 mi olduğuna karar verir. Okuma sırasında kondansatörün yükü boşaldığı için değer hemen geri yazılır. SemiAnalysis’in 2026 analizine göre güncel DRAM kondansatörleri yaklaşık 100’e 1 en-boy oranına sahip ince ve uzun yapılardır ve yalnızca on binlerce elektron tutar. Hücre küçüldükçe bu yük azalır, algılama payı daralır ve ölçekleme zorlaşır.

Bilgisayardaki bellekler hız ve maliyete göre katmanlara ayrılır. En üstte işlemci çekirdeğinin içindeki yazmaçlar ve SRAM önbellekler durur. Bunlar çok hızlıdır ama küçük ve pahalıdır, çünkü SRAM bir biti altı transistörle tutar. DRAM ise aynı biti tek transistör ve bir kondansatörle tuttuğu için aynı alana çok daha fazla bit sığdırır ve ortada yer alır. En altta yavaş ama ucuz ve kalıcı olan SSD ve sabit diskler bulunur. İşlemci aradığı veriyi önbellekte bulamazsa DRAM’e gider, orada da bulamazsa diske iner. Her basamak aşağı inildikçe gecikme katlanarak artar. Bu yüzden yeterli DRAM’i olmayan bir sistem, işlemcisi ne kadar güçlü olursa olsun yavaşlar.

Kapasite yonga düzeyinde gigabit (Gb), modül ve cihaz düzeyinde gigabayt (GB) ile ölçülür. Bir bayt sekiz bit olduğu için 16 Gb’lik bir yonga 2 GB eder. Yongalar ya bir modül üzerine dizilir (masaüstü ve sunucularda DIMM) ya da telefon ve ince dizüstülerde doğrudan işlemcinin yanına lehimlenir. Belleğin saniyede ne kadar veri taşıyabildiği bant genişliği ile ölçülür ve DRAM ailelerini birbirinden ayıran temel ölçülerden biridir.

DRAM üreticileri kendi fabrikalarını işletir. Sektör, tasarımla üretimin ayrıldığı dökümhane modeline geçmemiştir, çünkü süreç teknolojisi ile ürün tasarımı iç içedir. Üretim 300 mm’lik silikon wafer üzerinde yapılır. Kuşaklar 1a, 1b, 1c ya da Micron’un adlandırmasıyla 1-gamma gibi proses düğümü etiketleriyle anılır ve yeni düğümlerde EUV litografi katmanları artar.

Kısa tarihçe ve sektör yapısı

Tek transistörlü DRAM hücresini IBM’de Robert Dennard 1966’da buldu. İlk ticari DRAM yongası Intel 1103 oldu ve 1970’te piyasaya çıktı. Sonraki on yıllarda ürün önce Japonya’ya, ardından Kore’ye kaydı. SemiAnalysis’in derlemesine göre 1990’larda 20’den fazla DRAM tedarikçisi vardı. Bugün, 2026 ortası itibarıyla, sektör üç büyük üretici ve hızla büyüyen Çinli CXMT’den oluşuyor.

Konsolidasyonun yolu iflaslardan geçti. Alman Qimonda 2009’da iflas başvurusu yaptı. Japon Elpida 2012’de iflas etti ve 2013’te Micron tarafından satın alındı. Arada bir de kartel dönemi yaşandı. ABD Adalet Bakanlığı (DOJ), yaklaşık 1999-2002 arasındaki fiyat anlaşması nedeniyle Samsung’a 300 milyon, Hynix’e 185 milyon, Infineon’a 160 milyon ve Elpida’ya 84 milyon dolar para cezası verdi. Toplam ceza 731 milyon doları aştı. Erken işbirliği yapan Micron ceza almadı.

DRAM’in sert döngüsü bu yapının sonucudur. SemiAnalysis’e göre tedarikçilerin kapasite kullanım oranı süper döngülerde yaklaşık %95’e çıkar, derin düşüşlerde yaklaşık %50’ye iner. Fabrika maliyeti batık olduğu için üreticiler fiyat nakit maliyetin üzerinde kaldıkça wafer işlemeyi sürdürür. Düşüş dönemlerinde de yeni düğümlere geçiş devam eder, bu da bit arzını büyütüp fazlayı derinleştirir. Üstelik yeni bir fabrikanın planlanmasından üretime geçmesine kadar yıllar geçer. Talep yükseldiğinde arz hemen yetişemez ve fiyat sert çıkar. Kapasiteler aynı dönemde devreye girdiğinde ise fiyat aynı sertlikte düşer. Bu nedenle döngünün ortasında arz disiplini yapısal olarak zayıftır ve bellek üreticilerinin kârları diğer yarı iletken şirketlerinden çok daha oynaktır.

Son iki uç nokta karşılaştırma için iyi bir çerçeve sunar. 2017-18 süper döngüsünde Micron’un GAAP dışı, yani bazı tek seferlik ve nakit dışı kalemlerden arındırılmış DRAM brüt marjı 2017 mali yılının ilk çeyreğindeki %28’den 2018 mali yılının ilk çeyreğinde %62’ye çıktı. Şirketin toplam brüt marjı 2018 mali yılında %59 oldu, bir yıl önce %42’ydi. 2023’teki dipte ise Micron 2023 mali yılının ikinci çeyreğinde yaklaşık 3,7 milyar dolar gelir ve 2,31 milyar dolar net zarar açıkladı. TrendForce, 2023’ün ikinci çeyreği için kapasite kullanımını Samsung’da %77, Micron’da %74, SK hynix’te %82 bekliyordu. Samsung’un 2023 ilk çeyrek faaliyet kârı 0,64 trilyon wonla 2009’dan beri en düşük seviyeye indi.

2026’daki tablo bunun tersidir. Micron’un 2026 mali yılı ikinci çeyreğinde (Aralık 2025-Şubat 2026) şirket geneli GAAP dışı brüt marjı %74,9 oldu. Şirket bir sonraki çeyrek için yaklaşık %81 brüt marj rehberliği verdi. Şirket geneli marjlar kıyaslandığında bu oranlar 2018 mali yılındaki %59’un çok üzerindedir. İki dönemin marj tanımları birebir aynı olmasa da fark büyüktür.

Kimler üretiyor

TrendForce’un 1 Haziran 2026’da açıkladığı verilere göre küresel DRAM sektör geliri 2026’nın ilk çeyreğinde yaklaşık 97 milyar dolara ulaştı ve bir önceki çeyreğe göre %81 arttı. Aynı dönemde standart DRAM kontrat fiyatları çeyreklik bazda yaklaşık %93-98 yükseldi.

Üç büyük üretici sektör gelirinin yaklaşık %90’ını alıyor. Tablodaki rakamlar TrendForce’un tahminidir. "Diğerleri" satırı, sektör toplamından adı geçen beş şirketin çıkarılmasıyla bulunan farktır ve CXMT gibi tabloda yer almayan üreticileri kapsar. Micron satırı da TrendForce’un takvim çeyreğine uyarladığı tahmindir. Şirketin kendi raporladığı Aralık-Şubat dönemi DRAM geliri 18,77 milyar dolardır.

Samsung, DRAM gelirini ayrı açıklamıyor. Şirket 2026 ilk çeyreği için yaklaşık 133 trilyon won gelir ve yaklaşık 57,2 trilyon won faaliyet kârı öncü sonucu duyurdu. Counterpoint Research, Samsung’un aynı çeyrekteki bellek gelirini yaklaşık 50,4 milyar dolar tahmin ediyor, ama bu rakam NAND dahil tüm bellek işini kapsar.

SK hynix’in Kore uluslararası finansal raporlama standartlarına (K-IFRS) göre açıkladığı 2026 ilk çeyrek öncü sonuçlarında gelir 52,58 trilyon won oldu. Bu, çeyreklik bazda %60, yıllık bazda %198 artış demek. Faaliyet kârı 37,61 trilyon won, faaliyet marjı %72 oldu (2025 son çeyreğinde %58). Şirketin net nakdi yaklaşık 35 trilyon wona çıktı. Gelirin yaklaşık %78’i DRAM’den, %21’i NAND’den geldi.

Micron’un mali yılı Eylül başında başlar, bu yüzden çeyrekleri takvim çeyreklerinden yaklaşık bir ay önce kapanır. Şirketin 26 Şubat 2026’da biten 2026 mali yılı ikinci çeyreğinde geliri 23,86 milyar dolar oldu. Bir önceki çeyrekte 13,64 milyar, bir yıl önceki aynı çeyrekte 8,05 milyar dolardı. DRAM geliri 18,77 milyar dolarla toplamın %79’unu oluşturdu. Şirket bir sonraki çeyrek için 33,5 milyar dolar (artı eksi 0,75 milyar) gelir rehberliği verdi.

Tayvan’da Nanya ve Winbond daha çok eski kuşak ürünlerde çalışır. Çin’de CXMT, Omdia’ya göre kapasite ve sevkiyatta Çin’in birinci, dünyanın dördüncü DRAM üreticisidir. TrendForce, 2026 ilk çeyrek mobil DRAM sıralamasında Samsung, SK hynix, Micron ve CXMT’yi "Dört Büyükler" olarak anıyor.

Ürün aileleri

DRAM hücresi her ailede aynıdır. Aileleri ayıran şey arabirim, yani yonganın işlemciyle nasıl konuştuğu, güç tüketimi ve paketlemedir. DDR (Double Data Rate, çift veri hızı) adı, verinin saat sinyalinin hem yükselen hem düşen kenarında aktarılmasından gelir.

Sunucu belleğinde RDIMM (registered DIMM), komut ve adres sinyallerini ara bir yongayla tamponlayan modüldür ve çok sayıda yonganın aynı kanala bağlanmasını sağlar. HBM (yüksek bant genişlikli bellek), DRAM yongalarının üst üste istiflenip silikon delikleriyle (TSV) birbirine bağlandığı ve GPU gibi hızlandırıcıların hemen yanına yerleştirildiği ayrı bir ürün sınıfıdır. Bu madde HBM’yi yalnızca standart DRAM ile etkileşimi açısından ele alıyor.

DDR

DDR5, kişisel bilgisayar ve sunucularda kullanılan güncel ana bellek standardıdır. JEDEC standardı 2020’de yayımlandı. DDR4’e göre her modülü iki bağımsız alt kanala böler, güç düzenleme yongasını (PMIC) anakarttan modülün üzerine taşır ve yonga içi hata düzeltme (on-die ECC) ekler. Bu değişiklikler daha yüksek hız ve daha yüksek yoğunluk sağlar.

LPDDR

LPDDR (Low Power DDR, düşük güçlü DDR), telefonlar ve ince dizüstüler için tasarlanmış, daha düşük voltajda çalışan ve genellikle işlemcinin hemen yanına lehimlenen DRAM ailesidir. Sabit güç tüketimini azaltmak için daha agresif uyku modları ve daha kısa sinyal yolları kullanır.

GDDR

GDDR (Graphics DDR), grafik kartları ve oyun konsolları için tasarlanmış, pin başına çok yüksek hızda çalışan DRAM ailesidir. Her yonga GPU’ya kendi kısa ve doğrudan bağlantısıyla bağlanır ve GPU’nun çevresine dizilir. Bu düzen, toplam bant genişliğini yonga sayısı ile pin hızının çarpımına bağlar. GDDR, HBM’den ucuzdur ve standart baskılı devre kartı üzerinde çalışır. Buna karşılık bit başına daha fazla güç harcar ve aynı bant genişliğine ulaşmak için kartta daha fazla alan ister. Bu yüzden en büyük yapay zekâ eğitim hızlandırıcıları HBM kullanırken oyun kartları ve bazı çıkarım kartları GDDR’de kalır.

Niş DRAM

Niş DRAM, büyük üreticilerin ana ürün listesinden çıkardığı ya da çıkarmakta olduğu eski kuşak ve düşük yoğunluklu ürünlerin genel adıdır. 2026 itibarıyla bu grupta DDR3, DDR4, LPDDR4 ve 4 Gb, 8 Gb gibi küçük yoğunluklu yongalar bulunur. Alıcıları televizyon, ağ cihazı, endüstriyel ekipman ve otomotiv üreticileridir. Bu müşteriler ürünlerini uzun yıllar aynı bellekle üretmek ister ve yeni nesle geçişleri yavaştır. Başlıca tedarikçiler Tayvan’da Nanya ve Winbond, Çin’de GigaDevice gibi küçük tasarımcılardır.

Fiyat nasıl oluşur

DRAM fiyatı iki kanaldan oluşur. Kontrat fiyatı, üreticilerin büyük alıcılarla, yani bilgisayar ve telefon üreticileriyle ve hiper ölçekleyicilerle, genellikle çeyreklik dönemler için pazarlıkla belirlediği fiyattır. Sektör hacminin büyük bölümü bu kanaldan geçer. Spot fiyat, dağıtıcılar ve modül üreticileri arasında küçük partilerle günlük işlem gören fiyattır. Spot piyasa küçüktür ama hızlı tepki verir, bu yüzden genellikle kontrat fiyatlarının yönünü önceden gösterir.

Fiyat üç farklı birimle anılır ve bunlar sık karıştırılır. Yonga fiyatı belirli bir yoğunluk için verilir, örneğin "DDR4 4Gb". Modül fiyatı bir kapasite için verilir, örneğin "8GB DDR4 modül" ya da "64GB DDR5 RDIMM". Sektör karşılaştırmalarında ise gigabayt başına dolar kullanılır. HBM ise standart DRAM’in aksine yıllık sözleşmelerle fiyatlanır.

Üreticiler kendi kontrat fiyatlarını açıklamaz. Piyasa fiyatları en çok TrendForce’un DRAMeXchange birimi ve Counterpoint gibi araştırma şirketlerinin verileriyle izlenir. Bu veriler alıcı ve satıcılarla yapılan görüşmelere dayanan tahminlerdir. Şirketler ise bilanço açıklamalarında yalnızca ortalama satış fiyatındaki (ASP) ve bit sevkiyatındaki çeyreklik değişimi yaklaşık aralıklarla verir.

Üreticinin DRAM geliri iki bileşenin çarpımıdır. Biri satılan bit miktarı, yani bit sevkiyatı, diğeri bit başına ASP. Micron’un 2026 mali yılı ikinci çeyreği bunu iyi gösterir. Şirketin DRAM geliri çeyreklik bazda %74 arttı. Micron’a göre bunun kaynağı %60’ların ortasında bir ASP artışı ile tek hanenin ortasında bir bit sevkiyatı artışıydı. Hesap adım adım şöyle işler. ASP için yaklaşık 1,65, bit için yaklaşık 1,05 çarpan alınırsa 1,65 × 1,05 = 1,73 bulunur, bu da yaklaşık %73’lük gelir artışı demektir. Yani bu çeyrekteki büyümenin neredeyse tamamı fiyattan geldi.

Bu ayrım DRAM okumanın temelidir. Bit büyümesi gelir büyümesi değildir. Kıtlık dönemlerinde gelir fiyatla, fazla dönemlerinde ise bit hacmi artarken gelir düşebilir.

Bit talebi, belirli bir dönemde tüm son kullanım pazarlarının ihtiyaç duyduğu toplam DRAM bit miktarıdır. Bit arzı ise üreticilerin aynı dönemde ürettiği toplam bittir. Sektör ikisini yıllık bazda yüzde değişim olarak konuşur. İki büyüme oranı arasındaki fark fiyatı belirler. Arz talepten hızlı büyürse stoklar şişer ve fiyat düşer, yavaş büyürse stoklar erir ve fiyat yükselir.

Bit talebinin ağırlık merkezi 2026’da sunuculardır. SemiAnalysis’e göre 2026’da DRAM bit talebinin yaklaşık %40’ı sunuculardan, yaklaşık %30’u bilgisayar ve telefonlardan geliyor. SK hynix ise 2025’in üçüncü çeyreği itibarıyla bellek satışlarının yaklaşık %80’inin sunuculara gittiğini söylüyor. İki oran farklı şeyleri ölçer. İlki sektörün bit dağılımıdır, ikincisi tek bir şirketin gelir dağılımıdır ve HBM ile sunucu modülleri bit başına daha pahalı olduğu için daha yüksek çıkar. Yapay zekâ bu kaymayı hızlandırıyor. Bir dil modelinin ağırlıkları ve kullanıcıyla sürdürdüğü konuşmanın ara sonuçları çalışma sırasında bellekte tutulur. Model ve kullanıcı sayısı büyüdükçe sunucu başına gereken bellek artar. Bu ihtiyacın bir kısmını hızlandırıcının yanındaki HBM, bir kısmını da CPU’ya bağlı DDR5 ve LPDDR5X karşılar.

DRAM’in döngüsel bir emtia gibi davranmasının nedeni ikame edilebilirliktir. Aynı standarttaki yongalar farklı üreticiler arasında büyük ölçüde birbirinin yerine geçebilir. Bu yüzden üreticiler fiyatı tek başına belirleyemez ve fiyatı bit arzı ile bit talebi arasındaki fark belirler.

Bit büyümesi (bit talebi ve bit arzı)

Bit talebi ile bit arzı arasındaki fark 2026’da tarihsel ölçülerle geniştir. SemiAnalysis’in Şubat 2026 modeli 2026 için %21, 2027 için %19 bit arzı büyümesi varsayıyor ve buna rağmen 2026’da toplam DRAM arzının talebin yaklaşık %7 altında kalacağını hesaplıyor. Modele göre HBM’deki açık 2025’te %5, 2026’da %6, 2027’de %9. Standart DRAM’deki açık hem 2026’da hem 2027’de yaklaşık %7. Aynı kurum, 2017-18 süper döngüsünde bile açığın tek hanenin ortalarında kaldığını hatırlatıyor.

Bit arzını üç kaldıraç belirler. Bunlar işlenen wafer sayısı, wafer başına çıkan bit ve wafer’ların HBM’ye ayrılan payıdır.

Wafer ve temiz oda

Yeni wafer kapasitesi temiz oda inşaatına bağlıdır. TrendForce’a göre 2026’da bit çıktısı bu yüzden esas olarak düğüm geçişiyle büyüyor. SemiAnalysis’e göre 2026’da anlamlı wafer kapasitesi ekleyen yalnızca üç fabrika var. Bunlar Samsung’un P4’ü, SK hynix’in M15X’i ve Micron’un A3’ü. M15X ile A3 çoğunlukla HBM’ye hizmet ediyor. SK hynix’in Yongin birinci faz temiz odası Şubat 2027’den önce hazır olmayacak, çıktı 2027’nin üçüncü çeyreğinde başlayacak. Micron’un Idaho 1 fabrikasında ilk wafer çıkışı 2027 ortasına çekildi. Micron’un 15 Mart 2026’da 1,8 milyar dolar nakitle PSMC’den satın almayı tamamladığı Tongluo tesisi 2027 sonunda katkı verecek. Micron, temiz oda tarafında anlamlı rahatlamayı ancak 2028’de bekliyor.

Morgan Stanley Şubat 2026’da sektörün 2026 wafer başlangıç büyümesini yaklaşık %7 tahmin etti, Samsung ile SK hynix’in çeyreklik bit büyümesini ise düşük tek hanede gördü. Sermaye harcaması rakamları bu yüzden dikkatle okunmalıdır. TrendForce Kasım 2025’te DRAM sermaye harcamasının 2025’teki 53,7 milyar dolardan 2026’da 61,3 milyar dolara (%14 artış) çıkacağını öngördü. Dağılım Micron için 13,5, SK hynix için 20,5, Samsung için 20 milyar dolardı. Micron ise 18 Mart 2026’da 2026 mali yılı sermaye harcaması rehberliğini 25 milyar doların üzerine çıkardı. Bu rakam tüm ürünleri kapsar ve Eylül-Ağustos mali yılına göredir. Yani takvim yılı DRAM tahminiyle doğrudan kıyaslanamaz, ama tahminlerin ne hızla eskidiğini gösterir. Micron’un ilk altı aylık nakit yatırım harcaması 11,78 milyar dolar oldu (bir yıl önce 7,26 milyar dolar). Şirket her yeni fabrikanın çeyrek başına 100-200 milyon dolarlık açılış maliyeti getirdiğini söylüyor. Harcamanın önemli kısmı HBM’ye ve yıllar sonra üretime geçecek binalara gittiği için başlık rakamı standart DRAM bit arzını olduğundan büyük gösterir.

Düğüm geçişi ve yavaşlayan ölçekleme

SemiAnalysis’e göre DRAM yoğunluğu altın çağda her 18 ayda bir ikiye katlanıyor, on yılda yaklaşık 100 kat artıyordu. Son on yılda ise toplam artış yalnızca yaklaşık iki kat oldu. Darboğaz kondansatör, bit hattı ve algılama yükselticisinin elektriksel paylarıdır. Sonuç olarak bit maliyeti artık teknolojiyle kendiliğinden düşmüyor ve fiyatı ağırlıklı olarak kapasite eklemeleri ile arz-talep döngüsü belirliyor.

Yine de 2026’da bit arzının ana kaynağı düğüm geçişidir. SemiAnalysis’e göre Samsung’un 1c düğümü 1a’ya kıyasla wafer başına yaklaşık %70 daha fazla bit veriyor. Üç büyük üreticinin toplam 1b ve 1c kapasitesinin 2025’in son çeyreğinden 2027’nin son çeyreğine %80 artması bekleniyor. Samsung ve SK hynix, 2026 sonunda DRAM wafer çıktılarının yaklaşık %30’unu 1c’ye taşımayı hedefliyor. Morgan Stanley’in aktardığına göre Micron, 1-gamma’nın 2026’nın ikinci yarısında DRAM bitlerinin çoğunluğunu oluşturmasını bekliyor. Geçişin kendisi ise geçici çıktı kaybına yol açar, çünkü hatlar yeniden kurulurken ve üretim verimi oturana kadar wafer başına sağlam bit düşüktür.

Düğüm adları üreticiler arasında karşılaştırılamaz. TheElec ve TrendForce’un 2024 haberlerine göre "12 nm sınıfı" düğümler fiziksel olarak Samsung ve SK hynix’te yaklaşık 12,8 nm, Micron’da 13,3 nm ölçülüyor.

Sonraki adım hücre mimarisinin değişmesidir. 2026’daki hücreler 6F2 düzenindedir, yani bir hücre en küçük çizgi genişliğinin (F) karesinin altı katı alan kaplar. Samsung’un geliştirdiği 4F2 dikey kanallı transistör (VCT) yapısının kalıp alanını 6F2’ye göre yaklaşık %30 küçülttüğü bildiriliyor. SK hynix araştırmacıları, dikey kapılı 3D DRAM’in EUV süreç maliyetini yarıya indirebileceğini ve EUV maliyetinin 1c’den sonra hızla arttığını söylüyor.

Ekipman şirketleri geçişin zamanlamasını bağımsız olarak gösterir. UBS, 2026 DRAM WFE harcamasının Samsung’da yaklaşık %26, SK hynix’te %34, Micron’da %20 artacağını tahmin ediyor. Lam Research, 1c’ye geçişin dielektrik biriktirmedeki hizmet verilebilir pazarını %20’den fazla genişlettiğini söylüyor. Applied Materials ise 2026 ekipman pazarı büyümesinin %80’inden fazlasını ileri mantık, DRAM ve ileri paketlemeye bağlıyor.

HBM takası ve ters ölçeklenme

HBM’nin standart DRAM arzını nasıl daralttığını anlamak için takas oranına (trade ratio) bakmak gerekir. Takas oranı, bir standart DRAM wafer’ının bir HBM wafer’ına kıyasla kaç kat bit verdiğidir. SemiAnalysis’e göre standart bir DRAM wafer’ı, HBM3E 12 katlı bir wafer’ın yaklaşık üç katı, HBM4 wafer’ının ise yaklaşık dört katı bit verir. Nedenleri daha büyük kalıp, TSV’ler için ayrılan boş alanlar, wafer inceltme ve istifleme verimidir.

Aynı kuruma göre üç büyük üreticinin HBM wafer kapasitesi 2023 sonunda ayda 123 bin wafer’dan 2025 sonunda 331 bine çıktı, 2026 sonu için 473 bin, 2027 sonu için 668 bin bekleniyor. HBM’nin DRAM wafer kapasitesindeki payı 2022’de %5’in altındaydı, 2025 sonunda yaklaşık %20’ye ulaştı ve 2027 sonunda yaklaşık %35 olması bekleniyor.

Varsayımsal bir hesap etkiyi gösterir. Bir üretici ayda 100 wafer işliyor ve hepsini standart DRAM’e ayırıyor olsun. Toplam çıktı 100 birim bittir. Bu wafer’lardan 10’u takas oranı üç olan HBM3E’ye kaydırılırsa standart DRAM 90 birime iner. HBM wafer’ları ise 10 / 3 ≈ 3,3 birim bit verir. Toplam bit çıktısı 90 + 3,3 = 93,3 birime düşer, yani wafer sayısı aynı kalırken bit arzı yaklaşık %6,7 azalır. HBM’nin wafer payı büyüdükçe sektörün toplam bit çıktısı wafer büyümesinin gerisinde kalır. Bu olguya ters ölçeklenme denir.

HBM pay tahminleri ise tartışmalıdır. SemiAnalysis Şubat 2026’da Nvidia’nın Rubin nesli için ilk 12 ayda HBM arzının yaklaşık %60’ının SK hynix’ten, %30’unun Samsung’dan geleceğini yazdı. Micron itiraz ederek HBM4 sevkiyatına başladığını söyledi.

Talep tarafı

Talebin bileşimi de değişiyor. TrendForce’un 1 Haziran 2026 değerlendirmesine göre bulut şirketlerinin veri merkezleri yapay zekâya özel sunuculardan genel amaçlı sunuculara doğru da genişliyor. Yani talep HBM3E, LPDDR5X ve büyük RDIMM’lerle sınırlı kalmayıp standart DRAM’e yayılıyor.

Tüketici tarafında fiyat esnekliği birim sayısında görünür. IDC Şubat 2026’da 2026 akıllı telefon sevkiyatının %12,9 düşeceğini, ortalama satış fiyatının ise %14 artışla rekor 523 dolara çıkacağını tahmin etti. IDC’nin 3 Mart 2026 tahminine göre bilgisayar sevkiyatı %11,3 düşecek ama gelir %1,6 artacak. Counterpoint Aralık 2025’te DRAM kaynaklı malzeme maliyeti (BoM) artışını düşük segment telefonlarda yaklaşık %25, orta segmentte %15, üst segmentte %10 olarak hesapladı. Micron’a göre belleğin malzeme maliyetindeki payı tüketici cihazlarında veri merkezlerinden yüksektir, bu yüzden talep yıkımı önce telefon ve bilgisayar birimlerinde görülür. Gelir tutarken birimin düşmesi, fiyatın talebi bastırmaya başladığını gösteren gecikmeli bir işarettir.

Döngü ne kadar sürer

2026 ilk yarısındaki tahminler kıtlığın süresinde ayrışıyor. CITIC Mart 2026’da dengesizliğin 2027 ortasına kadar süreceğini öngördü. SemiAnalysis döngünün 2027 boyunca süreceğini, oynaklığın ise 2027 sonu ve 2028’de artacağını bekliyor. Micron rahatlamayı 2028’de görüyor.

Karşı görüş de güçlüdür. Sektörün tarihinde yüksek marjlar her seferinde kapasite yarışına yol açtı. Yongin, Idaho ve Tongluo 2027-2028’de devreye girerken talep yavaşlarsa fazla hızla geri dönebilir. Kapasite kullanımının %95’ten %50’ye inebildiği bir sektörde SK hynix’in %72’lik faaliyet marjı kalıcı kâr gücü sayılmamalıdır. Bellek şirketlerinin zirve kârı yerine döngü ortası değerleme ile fiyatlanmasının nedeni budur.

DDR5, MRDIMM ve DDR4 fiyat sapması

Sunucu tarafında bant genişliği artık yalnızca DRAM kalıbının hızından gelmiyor. MRDIMM (Multiplexed Rank DIMM), modüldeki iki bellek grubunu (rank) bir veri tamponuyla çoklayarak işlemciye tek bir hızlı kanal gibi sunar. Lenovo Press’in Nisan 2026 derlemesine göre JEDEC’in birinci nesil MRDIMM’i 8.800 MT/s (saniyede milyon aktarım), ikinci nesli 12.800 MT/s hızındadır ve ikinci nesil sonlandırma aşamasındadır. Üçüncü nesil 17.600 MT/s ile yol haritasındadır. Çoklanmış veri tamponu standardı JESD82-552 olarak yayımlandı.

Kıtlık, "yeni nesil her zaman daha pahalıdır" varsayımını bozdu. Goldman Sachs’ın Kasım 2025 verilerine göre 8GB DDR4 modül fiyatı %24 artarak 39 dolara, 8GB DDR5 modül fiyatı %9 artarak 36,5 dolara çıktı. Böylece DDR5 yaklaşık %6 primden yaklaşık %6 iskontoya geçti. Sunucu tarafında 64GB DDR4 modül %25 artışla 374 dolar, 64GB DDR5 modül %26 artışla 425 dolar oldu ve DDR5’in primi %14’te kaldı. Goldman’a göre bilgisayar üreticilerinin sipariş karşılanma oranı da %80’in altına düştü.

DDR4’ten çıkışın ertelenmesi bu fiyat sapmasının arka planıdır. TrendForce’un Temmuz 2025 aktarımına göre Samsung Haziran 2025’te DDR4 siparişlerini durdurup Aralık’a kadar sevkiyat yapacak, Micron son sevkiyatları 2026 ilk çeyreğinde yapacak, SK hynix Ekim 2025’te sipariş almayı bırakıp Nisan 2026’ya kadar sevkiyat yapacaktı. Eylül 2025’e gelindiğinde Kore basını Samsung ve SK hynix’in DDR4’ten çıkışı 2026’ya ertelediğini yazdı. SK hynix, eski Wuxi fabrikalarında DDR4 üretimini artırıyordu. Aralık 2025’te Samsung’un iptal edilemez ve iade edilemez (NCNR) bir DDR4 sözleşmesi imzaladığı haberleri çıktı. Ürün ömrü sonu duyuruları geri alınabilir çıktı ve eski kuşak pazar sessizce sönmek yerine fiyat sapmasına dönüştü.

TrendForce’a göre 2026 ikinci çeyreğinde yeni arz öncelikle yapay zekâ sunucuları için yüksek kapasiteli RDIMM’lere ayrılıyor, bilgisayar tarafındaki alıcılar kuyruğun sonunda kalıyor.

LPDDR6 ve SOCAMM2

JEDEC, LPDDR6 standardını (JESD209-6) Temmuz 2025’te yayımladı. Kurumun açıklamasına göre her kalıp 12 veri hattından (DQ) oluşan iki alt kanala, yani toplam 24 bitlik bir arabirime sahip. Erişim parçası 32 ve 64 bayt, kalıp yoğunluğu 4 ile 64 Gb arasında. Duyurulan tepe hızlar 10.667-14.400 MT/s aralığında.

2026’daki en önemli değişim LPDDR’in telefondan çıkıp sunucuya girmesidir. Nvidia’nın Vera CPU’su, sekiz adet 192GB SOCAMM2 modülüyle işlemci başına 1,5 TB’a kadar LPDDR5X taşıyabiliyor. Bu da raf başına 50 TB’ın üzerinde bellek demek. SOCAMM2, LPDDR yongalarını lehim yerine sökülüp takılabilen ince bir modüle yerleştiren sunucu bellek biçimidir. SK hynix, 192GB SOCAMM2’nin seri üretimine Nisan 2026’da 1c düğümünde başladı. Şirket, bir üretici iddiası olarak, modülün DDR5 RDIMM’e göre iki kattan fazla bant genişliği ve %75 daha iyi güç verimliliği sunduğunu söylüyor. Micron’a göre LP sunucu modülleri yaklaşık üçte bir güç çekiyor.

Mobil sınıf yongalar artık DDR5 RDIMM ile aynı kapasite havuzundan pay istiyor ve sunucu tarafı LPDDR5X’i çektikçe telefon üreticilerinin arzı daralıyor. SOCAMM2 için müşteri onayı, yani ürün doğrulama, yeni bir darboğaz kalemi haline geldi.

Eski LPDDR kuşaklarında da çıkış hızlanıyor. Nisan 2026’daki tek kaynaklı bir habere göre Samsung son LPDDR4 ve LPDDR4X siparişlerini aldı ve üretimi 2026 sonunda bitirecek. Aynı dönemde CXMT, TrendForce’a göre mobil DRAM’de LPDDR4X ile pay kazanıyor. Wccftech’in Mayıs 2026’da aktardığı doğrulanmamış bir tahmin, 2026 ikinci çeyreğinde mobil DRAM’in gigabayt başına yaklaşık 19,3 dolara çıktığını öne sürüyor.

GDDR7 ve PAM3

JEDEC’in 2024’te yayımladığı GDDR7 standardı (JESD239), sinyal kodlamasında büyük bir değişiklik yaptı. Önceki nesillerde kullanılan NRZ kodlaması her sembolde iki voltaj seviyesiyle bir bit taşır. GDDR7’deki PAM3 ise üç voltaj seviyesi kullanır. İki ardışık sembolün dokuz olası birleşiminden sekizi kullanılarak her iki sembolde üç bit taşınır. Böylece aynı saat frekansında %50 daha fazla veri geçer, gürültü payı ise Micron’un GDDR6X’te kullandığı dört seviyeli PAM4’e göre daha rahat kalır.

Standardın tavanı pin başına yaklaşık 48 Gbps (saniyede gigabit) düzeyindedir. 32 bitlik bir yongada bu, 48 × 32 / 8 = 192 GB/s bant genişliği demektir. Sevkiyattaki ürünler bu tavanın altında çalışıyor, tavan zamanla açılacak bir hız payıdır. Yatırımcı açısından GDDR, standart DRAM kapasitesinden pay alan ayrı bir kalemdir ve kıtlıkta RDIMM ile LPDDR5X’le aynı wafer havuzu için yarışır.

Niş DRAM fiyatları

Kıtlıkta en hızlı yüzde artışlar niş DRAM’de görülür. TrendForce’un 7 Nisan 2026 açıklamasına göre tüketici DRAM kontrat fiyatlarının 2026 ikinci çeyreğinde çeyreklik bazda %45-50 artması bekleniyordu. Mart ayında DDR4 4Gb ortalama fiyatı aylık bazda %20, DDR3 ve DDR2 fiyatları %20-40 arttı. Kapasitesini DDR4’e kaydıran Tayvanlı tedarikçiler daha agresif fiyat teklif etti, tüketici ASP’leri zaten yüksek olan Koreli üreticiler ise daha az fiyat değiştirdi. Büyük üreticiler DDR4’ün altındaki tüm ürünlerden çıkıyor.

Nanya’nın 2026 ilk çeyrek sonuçları niş DRAM gelirinin nasıl oluştuğunu gösterir. Gelir çeyreklik bazda %63,1 artarak 49,09 milyar Yeni Tayvan dolarına çıktı. ASP %70’in üzerinde arttı, bit sevkiyatı ise tek hanenin ortalarında bir oranda azaldı. Yani büyümenin tamamı fiyattandı. DDR5 gelirin yalnızca yaklaşık %10’unu oluşturuyor, gelirin büyük bölümü DDR4 ve LPDDR4’ten geliyor. Şirket, SanDisk, Kioxia, Solidigm ve Cisco’ya 78,72 milyar Yeni Tayvan dolarlık özel sermaye artırımını 8 Nisan 2026’da tamamladı. Yatırımcıların işlem sonrası payı yaklaşık %10,19. NAND ve depolama şirketlerinin ortaklığı, arz güvenliği arayışının sermaye yapısına yansımasıdır. Nanya’nın yapay zekâya özel "UWIO" belleği de katkı vermeye başladı.

Çin’de GigaDevice (603986) örnek olarak izlenebilir. Zhong Hang Zheng Quan’ın Mayıs 2026 değerlendirmesine göre şirketin DRAM kapasite kullanımı 2026 ilk çeyreğinde neredeyse tamdı. GigaDevice 2026’da 57 nm sınıfı bir sürece geçiyor, LPDDR4 ve DDR4 8Gb seri üretimi yılın ikinci yarısında başlıyor. Aynı kurum, DRAM’in 2026’da şirketin depolama gelirinin yaklaşık %10’una ulaşmasını bekliyor.

Segmenti sıkı tutan iki etken daha var. CXMT, izahnamesine göre 2024 sonunda kendi DDR4 üretimini bırakıp DDR5’e yöneldi. SK hynix’in DDR4 artırdığı Wuxi fabrikası ise ABD lisans rejimine tabi.