İçeriğe geç

Wafer — Yarı iletken üretiminin silikon plakası

Wafer (vafer, silikon plaka), tek kristal silikondan kesilip yüzeyi kusursuz düzlükte parlatılan ince ve yuvarlak plakadır. Çipler bu plakanın yüzeyine katman katman işlenir, ardından plaka kesilerek tek tek yongalara ayrılır.

Wafer (vafer, Türkçede silikon plaka ya da yonga plakası), tek kristal silikon bir külçeden kesilen, yüzeyi kusursuz düzlükte parlatılmış ince ve yuvarlak plakadır. İşlemci, bellek, sensör ve güç çiplerinin tamamı bu plakanın üzerinde katman katman üretilir, sonra plaka kesilerek yongalara ayrılır. Yarı iletken sektörü üretimini, kapasitesini ve fiyatını çoğu zaman wafer cinsinden ölçer. Bir fabrikanın büyüklüğü "aylık wafer", bir dökümhanenin satışı "wafer sevkiyatı", malzeme pazarı ise wafer alanıyla anılır. Dragonomi arşivinde terim 2026 Mart başına kadar 85 yazıda geçti. Bunların önemli bir kısmı dökümhane telekonferans notları, bellek kıtlığı analizleri ve yapay zekâ kapasitesi yazılarıdır.

Künye
İngilizce terim Wafer (silicon wafer)
Türkçe karşılık Vafer, silikon plaka, yonga plakası
Kullanım alanı Mantık ve bellek çipleri, güç yarı iletkenleri, MEMS sensörler, güneş hücreleri (ayrı bir ürün ailesi)
Başlıca üreticiler Shin-Etsu, SUMCO, GlobalWafers, Siltronic, SK Siltron, SOI'de Soitec, SiC'de Wolfspeed, TanKeBlue ve SICC
Standart ölçü SEMI M1, 300 mm çap ve 775 µm kalınlık
Güncel nesil 300 mm (12 inç), 450 mm girişimi 2014-2016 arasında durdu
Pazar büyüklüğü 2025'te 12.973 milyon inç kare, 11,4 milyar $ (SEMI)

Nasıl üretilir ve çipe dönüşür

Kumdan külçeye

Wafer'ın hammaddesi, kuvarstan arıtılmış çok yüksek saflıkta polisilikondur. Polisilikon kuvars bir potada eritilir. Eriyiğe küçük bir tohum kristal daldırılır ve dönerek yavaşça yukarı çekilir. Silikon atomları tohumun düzenine göre dizilerek donar ve tek parça bir kristal oluşur. Bu yönteme Czochralski (CZ) yöntemi denir, mantık ve bellek wafer'larının neredeyse hepsi böyle büyütülür. Bazı güç yarı iletkenlerinde eriyiği potaya değdirmeyen yüzer bölge (float zone) yöntemi kullanılır, çünkü pota oksijen safsızlığı bırakır.

Çekilen silindir biçimli külçe (ingot) istenen çapa taşlanır, tel testereyle ince dilimlere kesilir. Dilimler zımparalanır, kimyasal olarak aşındırılır ve kimyasal mekanik parlatmayla (CMP) düzleştirilir. Son temizlikten geçen plakaya cilalı wafer (polished wafer) denir. Bazı müşteriler bu yüzeyin üstüne ince ve kontrollü katkılanmış ek bir kristal katman ister. Bu katmanın büyütüldüğü ürüne epitaksiyel wafer (epi wafer) denir. İleri mantık çipleri büyük ölçüde epi wafer kullanır. DRAM (dinamik rastgele erişimli bellek) ve HBM (yüksek bant genişlikli bellek) ise ağırlıkla cilalı wafer üzerinde üretilir.

Boş plakayı Shin-Etsu veya SUMCO gibi bir malzeme şirketi üretir, bir dökümhane ya da bellek üreticisi satın alıp üzerine devre işler. Bu yüzden wafer üreticileri yarı iletken değer zincirinin en üst halkasında durur.

Plakadan yongaya

Fabrikada her katmanda yüzey ışığa duyarlı bir kimyasalla kaplanır, litografi makinesi devre desenini yansıtır, ardından aşındırma, iyon ekme ve ince film biriktirme gelir. Bu döngü onlarca kez tekrarlanır. Bu aşamaya ön uç (front-end) üretim denir. Bitmiş wafer'ın yüzeyinde aynı çipin çok sayıda kopyası yan yana dizilidir. Her kopyaya yonga (die) denir.

Yongalar wafer üzerindeyken iğneli test kartlarıyla sınanır. Sağlam yongaların toplam yongalara oranına verim (yield) denir. Wafer ardından kesim şeritlerinden testereyle ayrılır, yongalar paketlenir ve son kez test edilir. Bu işlere arka uç (back-end) denir.

Bir wafer'dan kaç yonga çıkacağını geometri belirler. 300 mm'lik bir wafer'ın alanı 3,1416 × 150 × 150 ≈ 70.700 mm²'dir. Yuvarlak plakaya kare yonga dizildiği için kenarda yarım kalan yongalar boşa gider. Sektörde kullanılan yaklaşık formül bu kaybı, pi ile çapın çarpımını yonga alanının iki katının kareköküne bölerek tahmin eder. 800 mm²'lik büyük bir yapay zekâ GPU yongasında brüt sayı 70.700 ÷ 800 ≈ 88,4'tür. Kenar kaybı 3,1416 × 300 ÷ √1.600 = 942,5 ÷ 40 ≈ 23,6 yongadır. Fark 64,8 çıkar. Yarım yonga satılamadığı için sonuç tam sayıya aşağı yuvarlanır ve wafer başına 64 aday yonga kalır. Kayıp brüt sayının %27'sidir. 100 mm²'lik bir telefon yongasında brüt sayı 707, kenar kaybı 942,5 ÷ 14,14 ≈ 66,6 ve net sayı aşağı yuvarlanınca 640'tır. Kayıp oranı %9'a iner. Bu, kusur kaynaklı kayıptan önceki tavandır.

Wafer çapı (8 inç ve 12 inç)

Wafer'lar çaplarıyla anılır, sektörde inç ve milimetre birlikte kullanılır. 8 inç 200 mm'lik, 12 inç 300 mm'lik plakadır. 6 inç (150 mm) ve daha küçük çaplar eski fabrikalarda ve bileşik yarı iletkenlerde hâlâ kullanılır. Sektör birliği SEMI'nin M1 standardına göre 300 mm'lik cilalı wafer'ın çapı 300 ± 0,2 mm, kalınlığı 775 ± 25 µm'dir. Kenarda 1 mm derinliğinde bir V çentiği (notch) bulunur ve makineler wafer'ı bu çentikten hizalar.

Çapı büyütmenin mantığı basittir. Alan çapın karesiyle büyür, 300 mm'lik wafer'ın alanı 200 mm'liğe göre (300 ÷ 200)² = 2,25 kat fazladır. İşlem adımlarının bir kısmı wafer başına aynı süreyi ister, bu yüzden büyük plaka yonga başına maliyeti düşürür. Infineon 11 Eylül 2024'te dünyanın ilk 300 mm güç GaN (galyum nitrür) wafer teknolojisini duyurduğunda, 300 mm wafer'ın 200 mm'ye göre wafer başına 2,3 kat çip verdiğini açıkladı. Rakamın 2,25'in biraz üstünde çıkması, kenar kaybı oranının büyük plakada küçülmesinden kaynaklanır.

Çap geçişleri pahalıdır, çünkü her makinenin yeniden tasarlanması gerekir. Intel, TSMC, Samsung, IBM ve GlobalFoundries'in New York'taki Global 450mm Consortium (G450C) çatısı altında yürüttüğü 450 mm girişimi yonga başına maliyette yaklaşık %30 düşüş hedefliyordu. Computer History Museum ve SemiWiki'nin aktardığına göre Intel 2014'te geri çekildi, TSMC de 2016 civarında ayrıldı. Ekipman üreticileri birkaç alıcılı bir pazar için geliştirme maliyetini üstlenmedi ve 2026 başında en ileri çap hâlâ 300 mm'dir.

Wafer başlangıcı (wafer start)

Wafer başlangıcı (wafer start), belirli bir sürede üretim hattına sokulan boş wafer sayısıdır. Genellikle aylık verilir ve wpm (wafers per month, aylık wafer) birimiyle anılır. Bir fabrikanın kapasitesi de aynı birimle söylenir. "Aylık 100 bin wafer kapasite", hattın ayda en çok 100 bin wafer başlatabileceği anlamına gelir.

Hatta giren wafer yüzlerce adımı haftalar ya da aylar içinde tamamlar, bu süreye çevrim süresi (cycle time) denir. Dökümhane gelirini sevkiyatta yazar. Wafer start, wafer çıkışı, sevkiyat ve gelir arasında zaman farkı olduğu için bir çeyrekteki start kararı gelire bir iki çeyrek sonra yansır. Fiili üretimin kapasiteye oranı kapasite kullanım oranı (utilization) olarak raporlanır ve dökümhane marjının ilk göstergesidir.

Wafer start kararını kimin verdiği iş modeline göre değişir. Dökümhanede start, müşterinin siparişine ve rezervasyonuna bağlıdır. En ileri düğümlerde kapasite sınırlı olduğu için wafer tahsisatı (allocation) başlı başına rekabet avantajına dönüşür. UBS, Şubat 2026'da Broadcom'un TSMC'nin 3 nm sürecinde güçlü bir wafer tahsisatı aldığını değerlendirdi (Broadcom notu). Bellek üreticisinde ise start kararını şirketin kendisi verir. Bu kararın nasıl verildiği aşağıda, HBM bölümünde anlatılır.

Kimler üretiyor ve rakamlarla

Silikon wafer pazarı az sayıda şirkete dayanır. Japonya'dan Shin-Etsu ve SUMCO, Tayvan'dan GlobalWafers, Almanya'dan Siltronic ve Güney Kore'den SK Siltron pazarın büyük çoğunluğunu kontrol eder. Pay rakamları kaynaklara göre on puana varan farklarla verilir, ancak Shin-Etsu'nun birinci, SUMCO'nun ikinci olduğunda kaynaklar uzlaşır. Özel wafer'larda SOI'de Fransız Soitec, silisyum karbürde (SiC) ABD'li Wolfspeed ile Çinli TanKeBlue ve SICC öne çıkar.

SEMI'nin 10 Şubat 2026'da yayımladığı yıllık verilere göre dünya silikon wafer sevkiyatı 2025'te %5,8 artarak 12.973 milyon inç kareye (MSI) çıktı. Aynı yıl wafer geliri %1,2 düşüşle 11,4 milyar dolar oldu. SEMI hacim artışını ileri mantık için epitaksiyel wafer ve HBM için cilalı wafer talebine, gelir düşüşünü geleneksel uygulamalardaki zayıf fiyat ortamına bağladı. İki rakamdan geriye hesapla inç kare başına gelir 2024'te yaklaşık 0,94 dolardan 2025'te 0,88 dolara, yani yaklaşık %6,6 geriledi. "Sevkiyat rekor kırdı" başlığı tek başına wafer üreticisinin kârı hakkında bilgi vermez.

Kapasite tarafında SEMI'nin Haziran 2025 tarihli 300 mm fab görünümü, dünya 300 mm kapasitesinin 2028'de aylık 11,1 milyon wafer'la rekor kıracağını öngörüyor. Büyümenin ağırlığı ileri proses düğümündedir. SEMI, 7 nm ve altı kapasitenin 2024'teki yaklaşık 850 bin wpm'den 2028'de yaklaşık 1,4 milyon wpm'ye çıkmasını bekliyor ve artışı kendi yuvarlanmamış verisiyle %69 olarak veriyor.

Eşdeğer wafer ve kullanım oranı tuzakları

Wafer verisi en çok birim yüzünden yanlış okunur. Farklı çaplı hatları olan şirketler toplamı eşdeğer wafer cinsinden verir ve her şirket farklı bir taban seçer.

Hangi şirket hangi tabanı kullanır

TSMC sevkiyatını ve kapasitesini 12 inç eşdeğeri wafer olarak raporlar. Şirketin 2024'teki sevkiyatı 12,9 milyon adet 12 inç eşdeğeri wafer oldu. SMIC ve Hua Hong ise 8 inç eşdeğeri kullanır. 1 adet 12 inç wafer 2,25 adet 8 inç eşdeğerine karşılık gelir. SMIC 10 Şubat 2026'da açıkladığı dördüncü çeyrek sonuçlarında 2025 sonu kapasitesini aylık 1,059 milyon 8 inç eşdeğeri wafer olarak verdi. 12 inç eşdeğerine çevrildiğinde bu 1.059.000 ÷ 2,25 ≈ 471 bin wpm eder. Dönüşüm yapılmadan SMIC, TSMC ya da UMC ile yan yana konursa kapasitesi olduğundan 2,25 kat büyük görünür.

Hua Hong'un 2025 dördüncü çeyrek sonundaki aylık 486 bin wafer kapasitesi (Hua Hong notu) bazen 8 inç ve 12 inç adetlerinin ham toplamı sanılır. Şirketin Hong Kong borsasına yaptığı çeyrek açıklamalarında birim 8 inç eşdeğeridir. Sevkiyat verisi de bunu doğrular. Hua Hong 2025'in dördüncü çeyreğinde 1,45 milyon 8 inç eşdeğeri wafer sevk etti. Bu ayda yaklaşık 483 bin wafer eder ve kapasiteyle tutarlıdır.

Eşdeğer birim büyümeyi de şişirir. Hua Hong'un Wuxi'deki 12 inç Fab 9 tesisinin tasarım kapasitesi aylık 83 bin wafer'dır ve şirket 2026 içinde bu hedefe tırmanıyor. Bu kapasite 8 inç eşdeğeri tabloda 83.000 × 2,25 ≈ 187 bin wafer olarak görünür. 12 inç payı artan bir dökümhanede eşdeğer kapasite, fiziksel wafer adedinden 2,25 kat hızlı büyür.

Şirket Kullandığı taban Açıklanan aylık kapasite 8 inç eşdeğeri
SMIC (2025 sonu) 8 inç eşdeğeri 1,059 milyon 1,059 milyon
UMC (kurumsal tanıtım) 12 inç eşdeğeri 400 binin üzeri 900 binin üzeri
Hua Hong (4Ç25 sonu) 8 inç eşdeğeri 486 bin 486 bin

UMC rakamı kurumsal tanıtım metnindeki yuvarlak bir değerdir. Tek tabana indirildiğinde Hua Hong'un kapasitesi SMIC'inkinin yaklaşık yarısı, UMC'ninkinin yarısından biraz fazlasıdır.

%100'ün üstündeki kullanım oranı

Dökümhaneler kullanım oranını nominal kapasiteye göre hesaplar ve oran %100'ü aşabilir. Hua Hong'un kullanım oranı 2025'in üçüncü çeyreğinde %109,5, dördüncü çeyreğinde %103,8 oldu. 5,7 puanlık düşüş ilk bakışta talep zayıflaması gibi okunur. Oysa aynı dönemde aylık kapasite 468 binden 486 bine, yani %3,8 arttı. Kapasite artışı tek başına oranı 109,5 ÷ 1,038 ≈ %105,5'e indirirdi. Düşüşün yaklaşık 4 puanı paydadan, geri kalanı fiili üretimdeki hafif gerilemeden gelir. Şirketin dördüncü çeyrek geliri yıllık bazda %22,4 artışla 659,9 milyon dolar oldu. Yeni hat devreye giren bir dökümhanede kullanım oranı ile gelir aynı çeyrekte ters yönde hareket edebilir.

Ön uç wafer'ı ile paketleme wafer'ı

TSMC'nin CoWoS (yongaları silikon bir ara katman üzerinde yan yana bağlayan 2,5D ileri paketleme teknolojisi) kapasitesi 2025 sonunda aylık yaklaşık 75-80 bin wafer'dı, hedef 2026 sonunda 120-130 bin wafer (TSMC CoWoS yazısı). Sektör tahminlerine göre TSMC 2026 boyunca yaklaşık 240-270 bin wafer'lık paketleme işini dışarıya verecek, bunun 180-190 bini Amkor'a, 60-80 bini SPIL'e gidecek. Buradaki wafer, yongaların üzerine oturduğu ara katman (interposer) plakasıdır. Ön uç wafer start'ıyla toplanamaz ve farklı bir darboğazı ölçer.

Uzun vadeli anlaşmalar nasıl işler

Silikon wafer, borsada işlem gören bir emtia değildir. Fiyat, wafer üreticisi ile çip üreticisi arasında ikili olarak belirlenir. Sektörün temel sözleşme biçimi uzun vadeli anlaşma (LTA, long-term agreement) olur. Müşteri belirli bir hacmi yıllar öncesinden taahhüt eder, wafer üreticisi de bu taahhüde dayanarak kristal çekme ve parlatma kapasitesi kurar.

Ön ödeme defteri ve erime hızı

LTA'ların ağırlığı 2021-2022 kıtlığında belirginleşti. Digitimes ve Taipei Times'ın aktardığına göre GlobalWafers bu dönemde 3, 5 ve 8 yıllık LTA'lar imzaladı ve bunların çoğu ön ödemeliydi. Şirketin LTA ön ödemeleri 2022 sonunda rekor düzeyde 33,11 milyar Yeni Tayvan dolarına (yaklaşık 1,12 milyar dolar), müşterilerden alınan toplam avans 39,73 milyar Yeni Tayvan dolarına (yaklaşık 1,3 milyar dolar) ulaştı. SUMCO da 2022'de 300 mm kapasitesinin 2026'ya kadar tamamen rezerve edildiğini söyledi.

Bu bakiye sonraki yıllarda düzenli olarak eridi. Taipei Times'ın şirket açıklamalarına dayanan haberlerine göre GlobalWafers'ın müşteri ön ödemeleri 2025'in ilk çeyreği sonunda 30,9 milyar Yeni Tayvan dolarına, üçüncü çeyrek sonunda 26,9 milyar Yeni Tayvan dolarına indi. Son çeyrekteki düşüş %6,5'tir. 2022 zirvesinden bu yana kayıp yaklaşık 6,2 milyar Yeni Tayvan doları, yani %19 civarındadır. Erime iadeden değil, ön ödemenin sevkiyat faturalarına mahsup edilmesinden kaynaklanır. Yeni ön ödeme gelmedikçe bakiye her çeyrek biraz daha küçülür. Ön ödeme kalemi bu yüzden döngünün ileri göstergesidir.

Sözleşme fiyatı korur, hacmi korumaz

2024 aşağı dönüşü LTA'ların gerçekte nasıl işlediğini gösterdi. SUMCO, Ağustos 2024 telekonferansında LTA fiyatlarının hem 300 mm hem 200 mm'de uygulandığını ve müşterilerin bu fiyatlara uyduğunu söyledi. Aynı dönemde yapay zekâ tarafındaki ileri uç müşterilerin stokları çok düşük, eski uygulamalardaki müşterilerin stokları ise yüksekti. Fark hacimde yönetildi. Müşteriler sevkiyat erteledi, stoklarını eritti. Kamuya açık bir ceza ya da tazminat tutarı ise raporlanmadı.

Bu tablo LTA'ların sert bir al ya da öde (take-or-pay) sözleşmesi gibi işlemediğini düşündürür. Fiyat korunur, hacim müzakereyle esner, fiyat baskısı ise anlaşma dışındaki satışlarda görülür. Siltronic Şubat 2026'da açıkladığı 2026 beklentisinde "LTA dışı fiyat baskısını" ayrı bir olumsuz etken olarak gösterdi. SUMCO da 10 Şubat 2026'daki sunumunda 300 mm işinin çoğunun LTA kapsamında olduğunu, yakın vadede fiyat artışının sınırlı kalacağını ve spot fiyatların dengelenmeye başladığını söyledi.

Yenileme takvimi

İlk dalga LTA'ların önemli bir kısmı 2026-2027 civarında sona eriyor ve yenileme dönemi elverişsiz bir iklime denk geliyor. Digitimes'ın Ağustos 2025'te aktardığına göre GlobalWafers'ın 2025 ilk yarı gelirinin yarısından fazlası uzun vadeli sözleşmelerden geldi. Tarife savaşı endişesiyle müşteriler yeni LTA imzalamakta temkinliydi. Şirket yeni LTA ve ön ödemelerin 2026'nın ikinci yarısına kaymasını beklediğini söyledi. 2025'in ikinci çeyreğinden itibaren bazı müşterilerle fiyat artışı müzakeresi başlamıştı ve uzlaşı yoktu.

Amortisman makası ve muhasebe tuzakları

Yapay zekâ talebi 300 mm wafer'da güçlüyken wafer üreticilerinin kârı, 2021-2022 kıtlığında kararı verilen yeni 300 mm fabrikaların amortismanı yüzünden eridi. Bu makas en net FAVÖK (faiz, amortisman ve vergi öncesi kâr) ile FVÖK (faiz ve vergi öncesi kâr) arasında görülür.

Siltronic örneği

Siltronic'in ön bilançosuna göre şirketin 2025 satışı %4,7 düşüşle 1.347 milyon euro, FAVÖK'ü 317 milyon euro oldu. Marj %23,5 ile sağlıklı görünür. Dördüncü çeyrekte FAVÖK 86 milyon euro, marj %23,3'tü. Bu da yaklaşık 369 milyon euroluk çeyrek satışına karşılık gelir. Aynı çeyrekte FVÖK eksi 34 milyon euroydu. Aradaki yaklaşık 120 milyon euro çeyreklik amortisman ve itfadır, çeyrek satışının yaklaşık %32'sine denk gelir.

Şirketin 2026 beklentisi makasın açılacağını gösterir. Siltronic FAVÖK marjını %20-24, yatırım harcamasını 180-220 milyon euro, amortismanı ise 490-520 milyon euro olarak öngördü. Satışların 1,35 milyar euro civarında yatay kaldığı varsayılırsa marj aralığının orta noktası olan %22, 1.350 × 0,22 ≈ 297 milyon euro FAVÖK verir. Amortismanın orta noktası 505 milyon euro düşüldüğünde FVÖK yaklaşık eksi 208 milyon euro olur. Bu Dragonomi'nin kendi hesabıdır, şirketin açıkladığı bir hedef değildir. Siltronic aynı açıklamada 200 mm iş kolundaki daralmayı, küçük çaplı (SD, small diameter) üretim hattının kapatılmasının tam yıllık etkisini ve kur aleyhine gelişmeyi de olumsuz etken olarak ekledi.

Nakit akışında da bir zamanlama tuzağı vardır. Siltronic'in 2025 dördüncü çeyrek net nakit akışı 102 milyon euroya iyileşti. Şirketin açıklamasına göre bunun nedeni yatırım faturalarının ödeme tarihinin 2026 başına kayması ve Singapur için alınan yatırım teşvikleriydi. Bu etki 2026 başında tersine döner. Tek bir çeyreğin serbest nakit akışı tedarikçinin sağlığını göstermez.

GlobalWafers ve SUMCO

Taipei Times'ın aktardığına göre GlobalWafers'ın brüt marjı 2025'in üçüncü çeyreğinde %18,4'e indi. Oran bir önceki çeyrekte %25,8, bir yıl önce yaklaşık %30'du. Şirket düşüşü ABD, İtalya ve Japonya hatlarındaki artan amortismana, yüksek enerji maliyetine ve kur etkisine bağladı. Aynı çeyrekte kullanım oranları talebin çaplara göre nasıl ayrıştığını gösterir. 12 inç hatlar %95'in üstünde, 8 inç hatlar %80'in altında, 6 inç hatlar %70'in altında çalışıyordu. 6 ve 8 inç SiC hatlarında oran %50'nin altındaydı.

SUMCO'da aynı makas faaliyet kârını neredeyse sıfıra indirdi. Şirketin 2025 net satışı %3,3 artışla 409,6 milyar yen olurken faaliyet kârı 2024'teki 36,9 milyar yenden 1,3 milyar yene geriledi. Dördüncü çeyrekte satışlar 105,2 milyar yenle şirketin kendi 100 milyar yenlik tahmininin üstünde kaldı, buna rağmen 4,5 milyar yen faaliyet zararı yazıldı. Yönetim hacim artışının kâra katkısını yalnızca yaklaşık 0,5 milyar yen olarak verdi. Yeni hatların amortismanı ve ürün karışımı bu katkıyı yuttu. SUMCO 2026'nın ilk çeyreği için 100 milyar yen satış ve 6 milyar yen faaliyet zararı bekliyor. Şirket ayrıca Miyazaki'deki küçük çaplı wafer üretimini yeniden yapılanma kapsamında durdurma kararı aldı.

Üç şirket farklı ülkelerde ve farklı muhasebe çerçeveleriyle raporladığı için ön ödeme, sözleşme yükümlülüğü ve atıl kapasite maliyeti farklı kalemlerde görünebilir. Marjları yan yana koymadan önce FAVÖK yerine FVÖK'e ve amortismanın satışa oranına bakmak daha az yanıltır.

200 mm'nin iki ayrı hikâyesi

"8 inç zayıflıyor" ve "8 inç büyüyor" cümleleri aynı anda doğru olabilir. Fark, 200 mm wafer'ı kimin ve ne için kullandığındadır.

Dökümhane tarafında 200 mm geriliyor. TSMC Temmuz 2025'te GaN dökümhane hizmetini 31 Temmuz 2027'ye kadar sonlandıracağını duyurdu. TrendForce ve EE Times Asia'nın Ağustos 2025'te aktardığına göre şirket ardından 6 inç üretimini iki yıl içinde bırakacağını ve 8 inç kapasitesini birleştireceğini bildirdi. Fab 2 (6 inç) ve Fab 5 (8 inç) 2027 sonuna kadar üretimi durduracak. SUMCO'nun Miyazaki kararı, Siltronic'in 200 mm daralması ve GlobalWafers'ın %80'in altındaki 8 inç kullanım oranı aynı eğilimin wafer tedarikçisine yansımasıdır.

Güç yarı iletkenleri ve sensörler tarafında ise 200 mm yatırım çekmeye devam etti. SEMI Eylül 2023'te 200 mm kapasitenin 2026'ya kadar rekor seviyeye çıkacağını öngördü ve bu artışın ana sürükleyicisi olarak otomotiv ile güç yarı iletkenlerini gösterdi. MEMS (mikro elektromekanik sistem) sensörler de 200 mm'de kalıyor. Dragonomi'nin MEMS mikrofon derin okumasına göre MEMS mikrofon üretimi 200 mm silikon wafer üzerinde başlar ve bir wafer'dan yaklaşık 2.000 mikrofon çıkar. Küçük yongalı bu ürünlerde 300 mm'ye geçmenin gerekçesi zayıftır.

"Olgun düğüm" ile "8 inç" de aynı şey değildir. UMC'nin gelirinin %36'sı 2025 dördüncü çeyreğinde 22/28 nm segmentinden geldi ve bu düğümler 300 mm'de üretilir. UMC 28 Ocak 2026 telekonferansında 2026'nın ilk çeyreğinde wafer sevkiyatının yatay kalmasını, ortalama satış fiyatının (ASP) dirençli olmasını ve brüt marjın %20'lerin üst bandında gerçekleşmesini beklediğini söyledi (UMC dördüncü çeyrek notu).

SOI wafer

SOI wafer (silicon on insulator, yalıtkan üzerinde silikon), üç katmandan oluşan özel bir plakadır. En üstte transistörlerin kurulduğu ince bir silikon katman bulunur. Altında gömülü oksit (BOX, buried oxide) denen yalıtkan bir tabaka, en altta ise taşıyıcı bir silikon wafer yer alır. Yalıtkan katman sızan akımı ve parazitik kapasitansı azaltır, böylece güç tüketimi düşer ve radyo frekansında sinyal temizlenir.

SOI wafer'ın en yaygın üretim yöntemi Smart Cut'tır. Oksitlenmiş bir wafer'a hidrojen iyonları ekilir, wafer ikinci bir wafer'a yapıştırılıp ısıtılır ve ince silikon katman ekim düzleminden ayrılarak taşıyıcının üstünde kalır. Teknolojinin sahibi Soitec'tir. Şirket Smart Cut'ı Shin-Etsu gibi wafer üreticilerine lisanslar, 300 mm SOI için Fransa'daki Bernin'de ve Singapur'da tesisler işletir. Lisanslı üreticiler bulunsa da temel üretim tekniği tek şirkete bağlıdır.

SOI birkaç ayrı pazardan oluşur. RF-SOI akıllı telefonların anten anahtarlarında ve düşük gürültülü yükselteçlerinde kullanılır. FD-SOI (fully depleted SOI, tam tükenmiş SOI) düşük güçlü mantık çiplerine yöneliktir. Photonics-SOI veri merkezlerinde ışıkla veri taşıyan silikon fotonik çiplerinde kullanılır.

Soitec'in 19 Kasım 2025'te açıkladığı Nisan-Eylül 2025 döneminde gelir 231 milyon euroya geriledi, organik düşüş %29'du. Şirket zayıflığı dökümhanelerdeki yüksek RF-SOI stoklarına bağladı. SOI talebinin ana belirleyicisi yapay zekâ veri merkezi harcaması değil, akıllı telefon RF stok döngüsüdür. "Wafer talebi yapay zekâ ile güçleniyor" genellemesi SOI için yanlış sonuç verir.

Bileşik alt taşlar, SiC ve GaN

Silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrür (GaN), yüksek gerilime ve sıcaklığa dayanıklı güç çiplerinin malzemesidir. SiC wafer'ı silikondan çok daha zor büyütülür ve uzun süre 150 mm'de kaldı. Sektör 2024-2025'te 200 mm SiC'ye geçerken fiyat beklenenden hızlı düştü. TrendForce'un Eylül 2024 verilerine göre Çin'de 8 inç SiC alt taşın fiyatı 2023 sonunda adet başına 3.000-4.000 dolarken 2024'ün üçüncü çeyreğinde yaklaşık 1.500 dolara indi. TrendForce'un aktardığı sektör verilerine göre 2024'te SiC alt taş pazarında Wolfspeed %33,7 payla birinci kaldı, Çinli TanKeBlue %17,3 ve SICC %17,1 pay aldı. İki Çinli şirketin toplam payı Wolfspeed'inkini aştı.

Çap büyütmenin tek başına kârlılık getirmediğini Wolfspeed gösterdi. Şirket dünyanın ilk 200 mm SiC fabrikasını Nisan 2022'de New York eyaletindeki Mohawk Valley'de açtı. Ağır yatırım yükü ve Çinli üreticilerin fiyat baskısı altında iflas korumasına başvurdu ve borcunu yaklaşık %70 azaltarak 29 Eylül 2025'te Chapter 11 sürecinden çıktı. GlobalWafers'ın SiC hatlarının 2025 üçüncü çeyreğinde %50'nin altında çalışması, fazla kapasitenin tek bir üreticiye özgü olmadığını gösterir.

GaN tarafında zorluk mekaniktir. GaN genellikle silikon wafer'ın üzerine epitaksiyle büyütülür (GaN-on-Si). Dragonomi'nin GaN-on-Si derin okumasında anlatıldığı gibi silikon ile GaN soğurken farklı oranlarda büzülür, wafer fırından çıkarken patates cipsi gibi kıvrılabilir, hatta çatlayabilir. Bu eğilme ve bükülme (bow/warp) çap büyüdükçe zorlaşır.

HBM'in wafer'a etkisi

Wafer takası ve esnek olmayan start

Bellek üreticisi için fabrika ve ekipman batık maliyettir. Tedarikçiler bitleri nakit işletme maliyetinin üzerinde satabildikleri sürece wafer çalıştırmaya devam eder (Bellek Kıtlığı). Mantık emtia piyasalarındaki maliyet eğrisine benzer ve kesinti haberleri genellikle fiyatlar zaten çöktükten sonra gelir.

HBM, DRAM yongalarının üst üste istiflendiği bellek türüdür ve aynı miktarda bit için standart DRAM'den çok daha fazla wafer tüketir. Sektörde HBM ile standart DRAM arasındaki wafer takası kabaca 3:1 olarak anılır, bazı analizler oranı 4'e kadar çıkarır. Sektör tahminlerine göre üç büyük bellek tedarikçisinin HBM'e ayırdığı kapasite 2023 sonunda aylık 123 bin wafer'dı, 2025 sonunda 331 bin wpm'ye çıktı. 2026 sonu için 473 bin wpm bekleniyor. Bir üretici aylık 10 bin wafer'lık DRAM kapasitesini HBM'e kaydırırsa, 3:1 oranında bu wafer'lardan çıkan bit miktarı standart DRAM'deki yaklaşık 3.300 wafer'ın bitine eşit olur. Wafer start sayısı değişmese bile toplam bit arzı daralır. 2025-2026 bellek kıtlığının arkasındaki mekanizma budur.

İki ayrı wafer akışı

HBM'in wafer etkisi DRAM tarafıyla sınırlı kalmaz. SK hynix Nisan 2024'te HBM4'ün taban yongasını (base die) TSMC ile üretmek için mutabakat imzaladı. Böylece bir HBM yığınının bellek katmanları DRAM wafer'ında, en altta duran mantık katmanı ise dökümhane wafer'ında üretilir. HBM talebi, cilalı ve epitaksiyel wafer talebini iki ayrı kalemden yükseltir.

HBM için özel wafer var mı

Yaygın bir varsayım, HBM'in wafer tedarikçisinden özel bir plaka istediğidir. Hibrit bağlama (hybrid bonding) ve TSV (silikon içinden dikey bağlantı) ile istiflemenin zorlu yüzey şartları ise büyük ölçüde fabrikadaki CMP aşamasına aittir. SemiEngineering'in hibrit bağlama yazıları ve ECTC 2023 bildirileri, 300 mm wafer'da merkezden kenara 1 nm'nin altında CMP düzgünlük farkı, bağlanacak dielektrik yüzeyde yaklaşık 0,5 nm RMS pürüzlülük, sıfıra yakın parçacık ve 50-200 nm hizalama doğruluğu gerektiğini anlatır. Geçici bağlama ve ayırma adımlarında ısı bütçesi 200 °C ile sınırlıdır. Wafer tedarikçisinden beklenen ise genel düzlük, bow/warp ve kalınlık değişimi (TTV) gibi başlangıç özellikleridir. SK hynix, Samsung ve Micron'un HBM için hangi wafer tedarikçisini onayladığı kamuya açık değildir. "Falanca şirket HBM wafer'ında pay kazanıyor" türü iddialar bu yüzden doğrulanamaz.

Kapasitenin bedeli

Kapasite eklemenin bedeli de wafer cinsinden hesaplanır. Sektör tahminlerine göre her 1.000 wpm'lik DRAM kapasitesi 120-150 milyon dolar yatırım gerektiriyor ve Çinli CXMT'nin 2026'da aylık 50-60 bin wafer kapasite eklemesi bekleniyor (Çin ekipman sektörü yazısı). Alt uçta 50 × 120 = 6.000 milyon dolar, üst uçta 60 × 150 = 9.000 milyon dolar eder. Aylık wafer başına bu sermaye harcaması yoğunluğu, kapasite haberini yonga üretim ekipmanı (WFE, wafer fab equipment) siparişine çeviren pratik bir çarpandır.

Harika! Başarıyla kaydoldunuz.

Tekrar hoş geldiniz! Başarıyla giriş yaptınız.

Başarıyla Dragonomi abonesi oldunuz.

Başarılı! Giriş yapmak için sihirli bağlantıyı e-postanızda kontrol edin.

Başarılı! Fatura bilgileriniz güncellendi.

Faturanız güncellenmedi.