Aşındırma (etch) — Çip üretiminde desen aktarımı

Aşındırma (etch ya da etching, dağlama), yarı iletken üretiminde litografiyle fotorezist üzerine basılan desenin, malzemenin istenmeyen kısımları kimyasal ya da fiziksel yolla sökülerek alttaki katmana kalıcı olarak aktarıldığı üretim adımıdır. Transistörlerin kapıları, bellek hücrelerinin kanal delikleri ve metal bağlantıların oyukları bu adımla açılır. İleri bir çip üretim sırasında bu adımdan defalarca geçer ve desenin ne kadar dik, düzgün ve derin açılabildiği verimi doğrudan belirler. Lam Research, Tokyo Electron ve Applied Materials gibi ekipman şirketlerinin sonuçları, Çin’in yerli ekipman atağı ve 3D NAND katman yarışı bu adım üzerinden okunduğu için terim Dragonomi yazılarında sık geçer.

Nasıl çalışır

Bir çip, wafer yüzeyine katman katman inşa edilir. Her katmanda aynı döngü tekrar eder. Önce wafer’ın üzerine silikon oksit, silikon nitrür, polisilisyum ya da metal gibi ince bir film biriktirilir. Filmin üzerine ışığa duyarlı bir kimyasal olan fotorezist sürülür. EUV litografi ya da daha eski DUV makineleri devre desenini bu reziste basar ve banyo işlemiyle desen ortaya çıkar. Bu noktada desen yalnızca rezistin içindedir ve kalıcı değildir. Aşındırma adımı, rezistin korumadığı bölgelerde alttaki filmi söker. Rezist burada bir maske, yani aşındırmadan korunacak alanları gösteren şablon görevi görür. Ardından kalan rezist soyulur, wafer temizlenir ve sonraki katmana geçilir. Desen böylece rezistten alttaki filme taşınmış olur.

Aşındırmanın iki ana türü vardır. Islak aşındırma (wet etch), wafer’ın asit ya da baz çözeltisine daldırılmasıdır. Örneğin hidroflorik asit silikon dioksiti çözer. Çözelti her yöne aynı hızla ilerler. Bu davranışa izotropik (yönsüz) aşındırma denir. Çözelti aşağı inerken rezistin altına da sızar ve desenin kenarlarını oyar. Desen genişliği film kalınlığına yaklaştığında bu yan oyulma kabul edilemez hâle gelir. Kuru aşındırma (dry etch) ise vakum odasında, gazın elektrikle iyonlaştırılmasıyla elde edilen plazmayla yapılır. Plazma aşındırma deseni aşağı doğru dik biçimde, yani anizotropik (yönlü) olarak oyabilir. İleri çiplerdeki desen aktarım adımlarının neredeyse tamamı kuru aşındırmayla yapılır. Islak süreçler ağırlıkla temizlik ve bazı seçici sökme işlerinde kalır.

Bir aşındırma adımının kalitesi birkaç ölçüyle tanımlanır. Seçicilik (selectivity), hedef malzemenin maskeye ya da alttaki katmana göre kaç kat hızlı aşındığıdır. Seçicilik düşükse maske hedef film bitmeden tükenir ya da alttaki katman zarar görür. Profil, açılan oyuğun yan duvarlarının dikliğidir. Kritik boyut (CD, critical dimension) ise desenin üstte ve dipte ölçülen genişliğidir. En-boy oranı (aspect ratio), bir oyuğun derinliğinin genişliğine bölümüdür. 100 nanometre genişlikte ve 5 mikron derinlikte bir delik 50:1 en-boy oranına sahiptir.

Türkçe kullanımda bir karışıklığa da dikkat etmek gerekir. "Aşındırma" kelimesi Dragonomi yazılarında kimyasal mekanik parlatma (CMP) çamurları, güneş paneli hücrelerinde potasyum hidroksitle yüzey dokulama ve metalurjide yapı incelemesi için de geçer. "Dağlama" kelimesi kalıp yüzeyi dokulama ve RFID anten üretimi gibi bağlamlarda kullanılır. Bu madde yalnızca yarı iletken üretimindeki desen aktarımını, yani ön uç (front-end) ve ileri paketlemedeki aşındırmayı anlatır.

Plazma aşındırmanın fiziği

Plazma, gaz moleküllerinin bir kısmının elektronlarını kaybederek iyonlaştığı haldir. Aşındırma odasında düşük basınçlı bir gaz karışımına radyo frekanslı (RF) güç verilir. Ortaya üç tür parçacık çıkar. Elektronlar enerjiyi taşır. İyonlar artı yüklüdür ve elektrik alanında hızlanabilir. Radikaller ise yüksüz ama kimyasal olarak çok etkin parçacıklardır. Örneğin flor içeren bir gazdan çıkan flor radikalleri silikonla birleşip uçucu silikon florür oluşturur ve ortamdan pompalanır.

Radikaller her yöne yayıldığı için tek başlarına izotropik aşındırma yapar. Yönü iyonlar verir. Wafer’ın üzerinde oluşan ince yük katmanı, yani kılıf (sheath), iyonları wafer’a dik açıyla fırlatır. Dipteki yüzey iyon bombardımanıyla aktive olur ve radikaller orada çok daha hızlı tepkime verir. Yan duvarlara iyon çarpmadığı için oralar yavaş aşınır. İyonun fiziksel etkisini radikalin kimyasıyla birleştiren bu yönteme reaktif iyon aşındırma (RIE, reactive ion etching) denir. Pek çok tarifte gaz karışımı yan duvarlara ince bir polimer tabakası da biriktirir. Bu pasivasyon tabakası duvarı korur, dipteki tabaka ise iyonlarla sürekli temizlenir.

Ekipman tarafında iki temel kaynak mimarisi vardır. CCP (capacitively coupled plasma, kapasitif bağlı plazma), iki paralel elektrot arasında plazma yakar. İyon enerjisi yüksek, plazma yoğunluğu görece düşüktür. Silikon oksit ve nitrür gibi sert dielektrik malzemeleri oymak için uygundur. ICP (inductively coupled plasma, endüktif bağlı plazma) ise bir bobinle yoğun plazma üretir ve wafer’a giden iyon enerjisini ayrı bir güç kaynağıyla ayarlar. Polisilisyum, silikon ve metal gibi iletken katmanlarda kullanılır. Sektör bu yüzden pazarı iletken aşındırma (conductor etch) ve dielektrik aşındırma (dielectric etch) diye ikiye ayırır.

Aşındırmanın klasik kusurları da bu fiziğin sonucudur. Derin ve dar deliklerde radikallerin ve iyonların dibe ulaşması zorlaşır, aşındırma hızı derinlikle düşer. Buna ARDE (aspect ratio dependent etching, en-boy oranına bağlı aşındırma) denir. Dar delikler geniş deliklerden yavaş aşınır, wafer’ın kenarı ile merkezi farklı hızda ilerler. Bu farka yükleme (loading) etkisi denir. Duvarlara saçılan iyonlar deliğin orta kısmını şişirir ve fıçıya benzeyen bir profil oluşur. Buna fıçılaşma (bowing) denir. Çok derin deliklerin eğrilip yan yana kaymasına burulma (twisting), dibe kadar açılmayan deliklere ise tam açılmama (partial open) kusuru denir. Aşındırmanın ne zaman duracağı da ayrı bir problemdir. Odadaki ışık tayfı izlenir ve hedef filmin bittiği an alttaki malzemenin izi görüldüğünde süreç kesilir.

Neden ortaya çıktı

İlk entegre devreler 1960’larda ıslak aşındırmayla üretildi. Desen genişlikleri o dönemde birkaç mikron ve üzerindeydi ve yan oyulma tolere edilebiliyordu. Desenler mikron altına inerken ıslak aşındırmanın yönsüzlüğü sınır oldu. 1970’lerden itibaren plazma aşındırma ve ardından reaktif iyon aşındırma yaygınlaştı. 1990’larda Robert Bosch firmasının geliştirdiği Bosch süreci, yani aşındırma ve pasivasyon adımlarını saniyeler içinde sırayla tekrarlayan yöntem, silikona çok derin ve dik oyuklar açmayı mümkün kıldı. Bu yöntem HBM bellek yığınlarındaki silikon içinden geçen bağlantıların (TSV) açılmasında da kullanılır.

2010’lar aşındırmanın rolünü iki yönden büyüttü. Birincisi çoklu desenlemedir. EUV öncesinde ince desenler DUV ile birden fazla pozlama ve aşındırma döngüsüyle elde edildi. Dragonomi’nin SMIC derin okumasına göre SMIC 7 nanometrede en ince desenli bir katman için dört litografi geçişine kadar ihtiyaç duyabiliyor. Her geçişi bir aşındırma ve biriktirme adımı izliyor. İkincisi 3D NAND’dir. Bellek üreticileri hücreleri yan yana küçültmek yerine üst üste dizmeye başladı. Ölçekleme litografiden çok aşındırmanın kaç mikron derinliğe dik bir delik açabildiğine bağlı hâle geldi. Bu iki eğilim, aşındırmayı ekipman pazarının en büyük kalemlerinden birine taşıdı.

Üretim zinciri ve kimler üretiyor

Aşındırma zincirinin merkezinde ekipman üreticileri vardır. Çevresinde proses gazı tedarikçileri, oda içi yedek parça ve sarf malzemesi üreticileri, ölçüm ve denetim şirketleri bulunur. Aşındırma ekipmanları, fabrikaların satın aldığı toplam ekipman harcamasının, yani WFE (wafer fab equipment) bütçesinin içinde yer alır. Zincirdeki yeri yarı iletken değer zinciri maddesinde ayrıntılı anlatılır.

Lam Research iletken aşındırmada uzun süre Kiyo ailesiyle öne çıktı. Şirket bu ailenin 20 yılı aşkın sürede milyarlarca wafer aşındırdığını söylüyor. Halefi Akara Şubat 2025’te tanıtıldı. 3D NAND’deki yüksek en-boy oranlı dielektrik aşındırmada Lam’ın konumu neredeyse tekeldir. Kore’deki TheElec, Mayıs 2024’te NAND kanal deliği aşındırıcılarının fiilen yalnızca Lam tarafından üretildiğini yazdı. Tokyo Electron (TEL) dielektrik aşındırmada, özellikle mantık çiplerinde güçlüdür ve kriyojenik aşındırmayla NAND pazarına da girmeye çalışıyor. Applied Materials iletken aşındırmada Sym3 ailesiyle rekabet eder. Japonya’dan Hitachi High-Tech, Kasım 2024’te DCR Etch System 9060 serisini tanıttı ve Mart 2025’te Kasado’da yeni bir aşındırma sistemi üretim tesisi açtı. Samsung’un yan kuruluşu SEMES ise ağırlıkla Samsung’a satış yapar. ETNews’in 2022’de aktardığı eski bir Gartner sıralamasında SEMES yaklaşık 2,2 milyar dolarla ön uç ekipmanda altıncıydı.

Çin’de iki yerli üretici öne çıkar. AMEC (Advanced Micro-Fabrication Equipment) ağırlıkla CCP tabanlı dielektrik aşındırmada güçlüdür. TrendForce ve ijiwei’nin aktardığı sektör kaynaklarına göre şirket yurt içi aşındırma pazarının yaklaşık %15’ini tutuyor. NAURA ise ICP ağırlıklı ve aşındırmanın yanında film biriktirme, temizlik ve ısıl işlem ekipmanı da satan daha geniş bir platformdur.

Aşındırma odaları sarf malzemesi yoğun makinelerdir. Plazmaya bakan silikon halkalar ve elektrotlar aşınır ve düzenli değiştirilir. Piyasa araştırma toplayıcılarının 2025 ve 2026 tahminleri bu halka ve elektrot pazarını kaynağa göre 0,7 ile 1,7 milyar dolar arasında veriyor. Bu tahminlerin güvenilirliği düşüktür ama aşındırma gelirinin makine satıldıktan sonra da yıllarca aktığını gösterir.

Rakamlarla

Aşındırma pazarının tek ve güvenilir bir büyüklüğü yoktur. Piyasa raporları segmenti 18 ile 27 milyar dolar arasında farklı büyüklüklerde tanımlıyor ve Gartner ya da TechInsights gibi birincil veri kaynaklarına dayanmıyor. Pazar payında da durum aynıdır. Bazı bloglar Lam’ın plazma aşındırmadaki payını %45 ile %55 arasında verirken Mordor Intelligence, Applied’a %32, Lam’a %28 pay biçiyor. Bu yüzden şirketlerin kendi açıkladığı sayılar daha sağlam bir zemindir.

Lam Research, Mart 2026’da biten çeyrekte (mali 2026’nın üçüncü çeyreği) 5,84 milyar dolar gelir açıkladı. Gelir yıllık bazda %24 arttı, brüt marj %49,9, faaliyet marjı %35 oldu. Takvim yılı 2025 geliri %27 artışla 20,6 milyar dolardı. Lam, Nisan 2026’da 2026 WFE tahminini Ocak’taki 135 milyar dolardan 140 milyar dolara yükseltti. Applied Materials, Nisan 2026 sonunda biten çeyrekte (mali 2026’nın ikinci çeyreği) 7,91 milyar dolar gelir açıkladı. Bunun 5,97 milyar doları yarı iletken sistemlerinden geldi. Tokyo Electron, Mart 2026’da biten mali yılda 2.443,5 milyar yenle rekor satış ve 624,9 milyar yen faaliyet kârı açıkladı. Şirket Nisan 2026 sonunda mali 2027’nin ilk yarısı için satışlarda %33,1 artış öngördü.

Çinli üreticilerde takvim yılı 2025 rakamları kullanılır. AMEC’in Ocak 2026’da açıkladığı ön sonuçlara göre şirketin geliri yaklaşık 12,4 milyar yuandı. Aşındırma geliri %35,12 artışla yaklaşık 9,8 milyar yuana çıktı. Ar-Ge harcaması gelirin %30,16’sına ulaştı. AMEC’in o güne kadar sevk ettiği toplam aşındırma odası sayısı 6.800’ü geçti. Bu rakamlar ön sonuçtur ve kesinleşmiş yıllık rapor rakamlarından küçük farklar gösterebilir. NAURA’nın 2025 geliri %30,85 artışla yaklaşık 39,4 milyar yuana çıktı. Ana ortaklığa ait net kâr ise %1,77 düştü ve bu 2016’dan beri ilk yıllık kâr düşüşü oldu. Aracı kurum notlarına göre NAURA’nın aşındırma ve ince film gelirlerinin her biri 10 milyar yuanı aştı, kesin dağılım açıklanmadı.

Yüksek en-boy oranlı aşındırma

Yüksek en-boy oranlı aşındırma (HAR etch, high aspect ratio etch), derinliği genişliğinin onlarca hatta yüz katı olan oyukların açılmasıdır. En bilinen örneği 3D NAND’deki kanal deliğidir. 3D NAND’de bellek hücreleri, oksit ve nitrür katmanlarının (ONON yığını) üst üste dizildiği bir kulenin içine yerleştirilir. Kulenin tepesinden dibine dik bir delik açılır ve hücreler bu deliğin duvarlarına kurulur. EE Times Asia Eylül 2024’te bazı referans değerler aktardı. Buna göre 128 katmanlı bir yığında kanal deliği yaklaşık 100 nanometre genişlikte ve 5 ile 6 mikron derinliktedir. Bu da yaklaşık 50:1 ile 60:1 arası bir en-boy oranı demektir. Aynı kaynağa göre 1.000 katmana yaklaşıldığında oran 2020’lerin sonunda 100:1’i geçecek.

Katman sayısı tek başına zorluğu anlatmaz. Asıl ölçü, tek seferde aşındırılan derinliktir. Üreticiler bu yüzden yığını destelere (deck, tier) böler. Önce alt deste aşındırılır, üstüne ikinci deste kurulur ve o da ayrıca aşındırılır. Bu yöntem en-boy oranını düşürür ama iki deste arasındaki hizalama ve ek aşındırma döngüsü maliyet getirir. Semiconductor Engineering’e konuşan Tokyo Electron’a göre 400 katmanın üzerindeki cihazlarda iki desteli yapıyı sürdürmek için deste başına en az yaklaşık 8 mikron derinlik gerekiyor. Lam ise Şubat 2025 Yatırımcı Günü sunumunda 300 ile 500 katman arası kuşak için 10 mikronluk "birleşik HAR aşındırma" (merged HAR etch) yolunu öne çıkardı. Birleşik aşındırma aşındırmayı zorlaştırır ama bir hizalama ve aşındırma döngüsünü ortadan kaldırır.

Katman yarışında SK hynix Kasım 2024’te 321 katmanı, Kioxia ve SanDisk Şubat 2025’te 332 katmanlı BiCS10’u duyurdu. Çinli YMTC’nin 294 katmanlı beşinci kuşak NAND’i ise 150 ve 144 katmanlı iki desteden oluşuyor ve bunların 232’si aktif hücre katmanı. DigiTimes’ın Temmuz 2025 haberine göre YMTC’de yerli ekipman payı yaklaşık %45. Guru3D ve Notebookcheck gibi sitelerin aktardığı bir haber ise yerli araçların verimde zorlanması nedeniyle katman sayısının geri çekildiğini öne sürdü.

Sıra DRAM’e de geliyor. APS’in 2025 Gazlı Elektronik Konferansı’ndaki bir sunuma göre 3D DRAM ve 4F2 hücre mimarisi, yüksek en-boy oranlı aşındırmayı dielektrik CCP odalarından silikon ya da silikon germanyum aşındıran ICP odalarına kaydırıyor. DRAM de böylece NAND gibi bir HAR aşındırma pazarına dönüşüyor. Talep tarafında Lam, Nisan 2026’da 200 katmanın üzerindeki cihazlara geçiş için gereken NAND dönüşüm harcamasını yaklaşık 40 milyar dolar olarak tahmin etti. Şirkete göre bunun önemli kısmı 2027 sonuna öne çekiliyor ve yalnızca yükseltmeleri değil yeni araçları da kapsıyor.

Kriyojenik aşındırma

Kriyojenik aşındırma (cryo etch), wafer’ın sıfırın altındaki sıcaklıklarda tutularak aşındırılmasıdır. Düşük sıcaklık yan duvarın kimyasal aşınmasını bastırır ve yüksüz parçacıkların duvara fiziksel olarak tutunmasını kolaylaştırır. Delik böylece daha dik iner. Semiconductor Engineering’in kriyojenik aşındırma değerlendirmesine göre Lam fıçılaşmayı önlemek için plazmayı aşındırma ve pasivasyon kipleri arasında darbeli çalıştırıyor. Şirket üç kuşakta üç farklı kimya kullandı. Aynı kaynak bedeli de not ediyor. Düşük sıcaklıkta iç ve dış delikler arasındaki yükleme farkı, burulma ve tam açılmama kusurları artabiliyor. Kriyojenik aşındırma bu yüzden profil ile kusur arasında bir takastır.

Lam, Cryo 3.0’ı 2024 yazında Vantex platformunda tanıttı. Şirketin Şubat 2025 Yatırımcı Günü sunumu Cryo 3.0 için profil sapmasında yaklaşık %80 iyileşme ve wafer başına karbondioksit salımında %90’a varan düşüş iddia ediyor. Bu yüzdelerin hangi sürece göre hesaplandığı kaynaklarda farklı aktarılıyor. Bir kısmı ilk kuşak kriyojenik süreci, bir kısmı klasik aşındırmayı baz alıyor. Lam, salım iddiasının IPCC envanter kılavuzuyla yaptığı kendi tahmini olduğunu ve bağımsız olarak doğrulanmadığını dipnotta belirtiyor.

EE Times Japan’ın Eylül 2024 başındaki basın toplantısı haberine göre Cryo 3.0 yaklaşık 100:1 en-boy oranını ve 10 mikron derinliği hedefliyor. Süreç oda sıcaklığındaki aşındırmaya göre yaklaşık 2,5 kat hızlı ve wafer başına yaklaşık %40 daha az enerji harcıyor. Deliğin üst genişliği 108 nanometre, dip genişliği 99 nanometre ölçülmüş. Yaklaşık 9 nanometrelik bu daralma, oda sıcaklığındaki klasik aşındırmada yaklaşık 30 nanometredir. Pazarlamadaki "derinliğin %0,1’inden az sapma" ifadesi 10 mikronda yaklaşık 10 nanometreye denk gelir. Anlamlı karşılaştırma 9 ile 30 nanometre arasındaki farktır.

Cryo 3.0 yeni Vantex C serisinde sunuluyor ama Cryo 1.0 çalıştıran Flex H ve Cryo 2.0 çalıştıran Vantex B odalarına da sonradan eklenebiliyor. EMSNow ve Tayvan basınının Ağustos 2024 haberlerine göre NAND üretimindeki 7.500’ü aşan Lam HAR dielektrik odasının yaklaşık 1.000’i kriyojenik çalışıyordu, yani yaklaşık %13’ü. Kriyojenik aşındırma kurulu baza yükseltmeyle yayılıyor.

Tokyo Electron’un 2023’te duyurduğu ve VLSI sempozyumunda sunduğu kriyojenik dielektrik aşındırma ise wafer’ı klasik süreçteki 0 ile 30 derece yerine yaklaşık eksi 70 derecede tutuyor. Şirkete göre 10 mikron derinliğindeki bir delik yaklaşık 33 dakikada açılıyor ve süreç klasik yönteme göre yaklaşık 2,5 kat hızlı. Kimya hidrojen florür tabanlı ve karbon içermiyor. Fosfor triflorür (PF3), hidrojen florürün silikon oksitle tepkimesini hızlandıran katalizör olarak kullanılıyor. TEL, küresel ısınma potansiyelinin ilk kuşak kriyojenik sürece göre %84 düştüğünü söylüyor ve süreci 400 katmanın üzerindeki yığınlara yöneltiyor. TheElec’e göre SK hynix, Mayıs 2024’te TEL’in aracını kendi fabrikasına kurmak yerine test wafer’larını TEL’e göndererek değerlendirdi. 28 Mayıs 2026 itibarıyla incelenen kaynaklarda TEL’in kriyojenik aracının SK hynix ya da Samsung’da seri üretim için onaylandığına dair bir teyit yoktur.

Çin tarafında çıta daha aşağıdadır. Citi’nin Mart 2026 notuna göre AMEC’in 400 katmanın üzerindeki NAND için geliştirdiği yeni nesil 90:1 HAR aşındırıcısı, Çin’in önde gelen NAND müşterisinde sertifikasyon bekliyor. Lam’ın Cryo 3.0 için hedeflediği 100:1 ile arasındaki fark, Çin’in NAND aşındırmasındaki açığını gösterir.

Atomik katman aşındırma (ALE)

Atomik katman aşındırma (ALE, atomic layer etching), malzemenin her döngüde yalnızca bir ya da birkaç atom kalınlığında söküldüğü aşındırma yöntemidir. Klasik plazma aşındırma süreklidir ve ne kadar malzeme söküleceği süreyle ayarlanır. ALE ise iki ayrı ve kendi kendini sınırlayan (self-limiting) yarım adımdan oluşur. İlk adımda yüzey kimyasal olarak değiştirilir. Ders kitabı örneğinde klor gazı silikonun en üst atom katmanına tutunur ve orada durur, çünkü alt katmanlara ulaşamaz. İkinci adımda düşük enerjili argon iyonları yalnızca bu değiştirilmiş tabakayı söker. Enerji, değiştirilmemiş silikonu sökmeye yetmeyecek kadar düşük tutulur. Döngü tekrarlanır ve toplam derinlik döngü sayısıyla belirlenir.

ALE’nin üstünlüğü hassasiyettir. Wafer’ın her yerinde aynı derinlik elde edilir, yükleme etkisi ve yüzey hasarı azalır, çok farklı malzemeler arasında yüksek seçicilik sağlanabilir. Bedeli ise hızdır. Her döngü gaz değiştirme ve oda temizleme gerektirdiği için saatte işlenen wafer sayısı sürekli aşındırmaya göre düşüktür. İncelenen kamu kaynaklarında ALE için güvenilir bir verim (throughput) rakamı bulunmuyor. ALE bu yüzden hassasiyetin hızdan önemli olduğu birkaç adımda kullanılır.

ALE’nin iki ana çeşidi vardır. Plazma ALE iyon bombardımanı kullandığı için yönlüdür. Isıl ya da buhar fazı ALE ise iyonsuz çalışır ve izotropiktir, yani her yöne eşit aşındırır. Seri üretimdeki asıl kullanım yanal ve seçici aşındırmadır. Gate-all-around (GAA) transistörlerde kanal, silikon ve silikon germanyum katmanlarının üst üste dizildiği bir yığından oyulur. İç aralayıcı (inner spacer) boşluğunu açmak ve kanalı serbest bırakmak için silikon germanyum, silikona dokunmadan yandan birkaç nanometre geri çekilmelidir. Bu iş yataydır ve aşırı seçicilik ister.

Lam bu alana Şubat 2022’de üç ürünle girdi. Argos yüzey işlemi yapıyor, Prevos atomik katman hassasiyetinde oksit, silikon ve metal seçici aşındırma yapıyor, Selis ise radikal ve ısıl yöntemle seçici aşındırma sunuyor. Şirkete göre Samsung bu araçları 3 nanometre GAA üretiminde kullanıyordu. Lam’ın Şubat 2025 yol haritasında Prevos, GAA ve CFET mantık çipleri ile 3D DRAM için "yanal ALE" olarak geçiyor. Derin oyukları ise aynı yol haritasında yönlü HAR aşındırma açmayı sürdürüyor.

Bu adımlarda hangi yöntemin kazanacağı hâlâ açık bir sorudur. Fudan Üniversitesi önderliğinde 2026’da yayımlanan bir çalışma GAA iç aralayıcı boşluğunu inceledi. Çalışmaya göre buhar fazında gaz aşındırma, silikon germanyum ile silikon arasında ICP’nin yaklaşık 9 katı, uzak plazmanın ise yaklaşık 2 katı seçicilik veriyor ve nanoyapraklara daha az hasar veriyor. Aynı çalışma, kendi kendini sınırlayan oksitlemeye dayalı yarı ALE (quasi-ALE) bir yolu da inceliyor. Applied Materials ise Şubat 2026’da GAA silikon nanoyapraklarını pürüzsüzleştiren Viva radikal işlem sistemini tanıttı. Viva, aşındırma sonrasında yüzeyi düzelten ve aşındırmaya bitişik yeni bir ürün kategorisidir.

Aşındırma yoğunluğu ve kurulu baz ekonomisi

Yatırımcı açısından aşındırmanın en önemli kavramı aşındırma yoğunluğu (etch intensity), yani her yeni teknoloji kuşağında wafer başına düşen aşındırma içeriğinin artmasıdır. Yayımlanmış en temiz ölçüyü Lam’ın Şubat 2025 Yatırımcı Günü sunumu verir. Lam, kendi hizmet verdiği pazarın (SAM, served available market) wafer başına büyüklüğünün bir kuşaktan diğerine kaç kat arttığını gösteriyor. Ölçü aşındırma ve biriktirmeyi birlikte kapsar, yalnızca aşındırmayı ölçmez.

Lam, aynı sunumda SAM’in toplam WFE içindeki payının 2030 civarında %30’ların başından %30’ların sonuna çıkmasını ve artan SAM’in yarısından fazlasını almayı hedefledi. Nisan 2026’da bu payın 2026’da %30’ların ortasının biraz üzerine çıktığını ve birkaç yıl içinde %38 ile %39’un hedeflendiğini söyledi. Bu oran Lam’ın kendi tanımladığı ve yeni ürün çıkardıkça genişleyen bir pazarın WFE içindeki büyüklüğünü gösterir, Lam’ın pazar payını göstermez.

Kurulu baz ekonomisi ikinci önemli kavramdır. Lam’ın Yatırımcı Günü verilerine göre müşteri destek iş grubu (CSBG, yedek parça, yükseltme ve servis) 2013’te yaklaşık 1 milyar dolardan 2019’da yaklaşık 3 milyar, 2024’te yaklaşık 7 milyar dolara çıktı. Aynı dönemde sistem satışları yaklaşık 3 milyardan 7 milyara ve 9 milyar dolara yükseldi. CSBG’nin gelirdeki payı böylece yaklaşık %25’ten yaklaşık %44’e çıktı. Mart 2026 çeyreğinde CSBG tek çeyrekte ilk kez 2 milyar doları aştı ve yaklaşık 2,11 milyar dolar oldu. Yalnızca araç sevkiyatına bakan bir analiz aşındırmanın gelir gücünü olduğundan düşük gösterir.

Lam, Ocak 2026 telekonferansında iletken aşındırma sistemi Akara’nın kurulu tabanının bir yılda iki katına çıktığını söyledi. Şirket GAA’ya geçişte Akara uygulama sayısının iki katına, DRAM’de 1c kuşağından 1d’ye geçişte ise üç katına çıkmasını bekliyor. Nisan 2026’da ise önemli bir dökümhane ve mantık müşterisinde ilk dielektrik aşındırma kazanımlarını açıkladı. Adı verilmeyen müşteriyle Lam, tarihsel olarak TEL ile Applied ve Hitachi’nin daha güçlü olduğu bir alana giriyor. Fiyat tarafında Tokyo Electron Nisan 2026’da brüt marjı iki yıl içinde %50’nin üzerine çıkarmayı hedeflediğini açıkladı. Şirket bunun için fiyat artışlarını, verimliliği ve yeni modelleri sayıyor.

Çin ve ihracat kontrolleri

TrendForce’un Ocak 2026’da aktardığı Çin Yarı İletken Sanayi Derneği (CSIA) verilerine göre Çin’de kullanılan ekipmanlarda yerli payı 2024’teki %25’ten 2025’te %35’e çıktı. Böylece %30 hedefi aşıldı. Aşındırma ve ince film biriktirme araçlarında yerli ikame oranı %40’ı aştı. Yole ise aynı kavramı farklı ölçüyor. Yole’ye göre Çin’in ekipman yerlileşme oranı 2021’de %8’den 2025’te %23,2’ye çıktı ve 2030’da %39’a ulaşması bekleniyor. Aynı "yerli ikame" başlığı, fabrikaların yıllık alımlarını mı, değer payını mı yoksa fabrikadaki toplam araç tabanını mı saydığına göre 10 puandan fazla farklılaşabilir.

Politika bu oranı yukarı itiyor. Reuters’ın 30 Aralık 2025 tarihli haberine göre Çin, yeni ya da genişletilmiş kapasite için onay isteyen çip üreticilerinden ihalelerle ekipmanın en az %50’sinin yerli olduğunu göstermelerini istiyor. Kural yazılı değil, kaynaklar anonim ve yerli aracın bulunmadığı alanlarda istisna var. ABD tarafında BIS’in %50 sahiplik kuralı (Affiliates Rule) 29 Eylül 2025’te yürürlüğe girdi, 10 Kasım 2025’te ABD ile Çin arasındaki uzlaşma kapsamında 9 Kasım 2026’ya kadar askıya alındı. Lam, askıya almadan önce bu kısıtların Aralık 2025 çeyreğinde yaklaşık 200 milyon dolar, takvim yılı 2026’da ise yaklaşık 600 milyon dolar gelir etkisi yaratacağını tahmin etmişti. Askıya alma süreli olduğu için tahminlerde bir uçurum riski taşınıyor.

Lam’ın Çin payı bu tablonun aynasıdır. Pay Eylül 2025 çeyreğinde yaklaşık %43, Aralık 2025’te yaklaşık %35 ve Mart 2026’da %34 oldu. Yönetim, Çin’in 2026 gelirindeki payının %30’un altına inmesini ve Çin WFE’sinin 2026’da yıllık bazda yatay kalmasını bekliyor.

Çinli satıcıların ilerleyişi ürün kilometre taşlarıyla izlenir. TrendForce’un Ocak 2026 haberine göre AMEC’in CCP aşındırma araçları CXMT’de birden fazla DRAM adımında seri üretimde. CSIA’ya göre AMEC’in 5 nanometre sınıfı dielektrik aracı TSMC’de doğrulamada. Citi’nin Mart 2026 notuna göre CXMT ve YMTC’nin bellek yatırımları 2026 ve 2027’de ayda en az 200 bin wafer kapasite ekleyebilir. Bu da 80 ile 90 milyar yuanlık aşındırma ve biriktirme talebi yaratabilir. Dragonomi’nin Şubat 2026 tarihli Çin ekipman yazısında aktarılan aracı kurum tahminlerine göre ayda 1.000 wafer DRAM kapasitesi 120 ile 150 milyon dolara mal oluyor.