HBM — Yüksek bant genişlikli bellek

HBM (High Bandwidth Memory, yüksek bant genişlikli bellek), birden çok DRAM kalıbının dikey bağlantılarla üst üste istiflendiği ve işlemcinin hemen yanına, aynı paketin içine yerleştirildiği bir bellek türüdür. Başta Nvidia ve AMD'nin yapay zekâ hızlandırıcıları (belirli hesapları genel amaçlı işlemciden çok daha hızlı yapan GPU ve özel çipler) olmak üzere yüksek başarımlı hesaplamada kullanılır. Büyük dil modellerinde hızı çoğu zaman işlem gücü değil bellekten veri çekme hızı sınırladığı için HBM, yapay zekâ çiplerinin başarımını ve maliyetini belirleyen başlıca bileşenlerden biridir. SK hynix, Samsung ve Micron'un kârlarını, bellek fiyatlarını ve ABD'nin Çin'e yönelik ihracat kurallarını aynı anda etkilediği için Dragonomi yazılarında bellek döngüsü, çip sevkiyatı ve jeopolitik başlıklarında sık geçer.

Nasıl çalışır

Sıradan bilgisayar belleği, yani DRAM (dynamic random-access memory, dinamik rastgele erişimli bellek), işlemciden santimetrelerce uzakta, anakarttaki modüllerde durur ve görece dar bir veri yoluyla bağlanır. Ekran kartlarındaki GDDR (graphics DDR, grafik belleği) yongaları 32 bit genişliğindedir ve bu darlığı yüksek pin hızıyla telafi eder. HBM ters yoldan gider. Veri yolunu çok genişletir, pin başına hızı ölçülü tutar ve belleği işlemciden birkaç milimetre öteye taşır. Binlerce paralel hat bant genişliğini, yani saniyede taşınan veri miktarını yükseltir, kısa mesafe ve düşük frekans da bit başına enerjiyi azaltır. Bedeli bağlantı sayısıdır. Binlerce hat sıradan bir devre kartına sığmaz, bu nedenle HBM özel ve pahalı bir paketleme ister.

Bir yapay zekâ sunucusunda bellek katmanlıdır. En üstte çipin içindeki SRAM önbellek, ardından aynı paketteki HBM, onun altında işlemcinin yanındaki DDR ya da düşük güçlü LPDDR bellek, en altta SSD gelir. Aşağı inildikçe kapasite büyür, hız düşer. Nvidia H100'ün 50 MB'lık L2 önbelleği, kartın 80 GB'lık HBM'inin yaklaşık 1.600'de biridir. Çipe daha fazla SRAM koymak çözüm olmaz. SRAM hücresi altı transistörle, DRAM hücresi bir transistör ve bir kapasitörle kurulur, bu nedenle SRAM bit başına çok daha fazla alan kaplar. Küçülmesi de neredeyse durdu. WikiChip'in aktardığı IEDM 2022 verilerine göre TSMC'nin N3 sürecinde SRAM hücresi N5'e göre yaklaşık %5 küçüldü.

Bant genişliği hesabı

Bant genişliği, veri yolu genişliğinin (bit) pin başına hızla (Gb/s, saniyede gigabit) çarpılıp 8'e bölünmesiyle bayt cinsinden bulunur. JEDEC'in Nisan 2025'te yayımladığı HBM4 standardı (JESD270-4) 2.048 bitlik veri yolu ve pin başına 8 Gb/s'ye kadar hız tanımlar. 2.048 × 8 ÷ 8 = 2.048 GB/s, yani JEDEC'in "yığın başına 2 TB/s'ye kadar" değeri çıkar. Micron'un Hot Chips 2026'da anlattığı HBM4 pin başına 11 Gb/s'nin üzerinde çalışıyor ve aynı hesapla 2.816 GB/s'ye ulaşıyor.

Karşılaştırma için 32 Gb/s'deki bir GDDR7 yongası 32 × 32 ÷ 8 = 128 GB/s verir, yani bir HBM4 yığınını 16 GDDR7 yongası yakalar. Asıl fark bit başına enerjide, kartta kaplanan alanda ve kapasitededir. SK hynix, Eylül 2025'te geliştirmesini tamamladığı HBM4'ün güç verimliliğini önceki nesle göre %40'tan fazla iyileştirdiğini açıkladı.

Yığının anatomisi

Bir HBM yığını iki tür kalıptan oluşur. Kalıp (die), yonga plakasından (wafer) kesilen tek bir çip parçasıdır. Üstte veriyi tutan DRAM çekirdek kalıpları bulunur. En alttaki taban kalıp (base die) bellek hücresi taşımaz, yığının işlemciyle haberleşmesini, sinyal düzenini ve testini yönetir. Kalıplar birbirine iki yapıyla bağlanır. TSV (through-silicon via, silikon geçiş yolu), silikonu baştan sona delip bakırla dolduran dikey bağlantıdır. Mikro-tümsek (micro-bump) ise iki kalıbın arasında TSV'leri bir üst kata bağlayan küçük lehim noktasıdır.

SK hynix'in Hot Chips 2026'da tanıttığı HBM4 paketi 12,8 × 11 mm boyutunda ve 775 µm (mikrometre) yüksekliğinde. İçinde 20 binden fazla TSV, tabanda 16.148 mikro-tümsek ve 2.048 veri giriş/çıkışı (G/Ç) var. 12 DRAM kalıbı ve taban kalıp 775 µm'ye sığınca kat başına ortalama pay 60 µm'nin altında kalır (775 ÷ 13 ≈ 59,6). 16 katlı yığında pay 46 µm'nin altına iner (775 ÷ 17 ≈ 45,6). Bu paya yapıştırıcı ve tümsek de dahildir. İnceltilen silikon kolayca eğilir ve bu eğilme (warpage) istiflemenin en zor sorunlarından biridir.

Hazır yığın, GPU ile birlikte, ikisini binlerce ince hatla bağlayan bir ara katman (interposer) üzerine oturur. Bu 2.5D paketlemenin en yaygın biçimi TSMC'nin CoWoS (Chip on Wafer on Substrate) teknolojisidir. İlk sürümlerde ara katman tek parça silikondu, Blackwell ve Rubin'in kullandığı CoWoS-L'de ise organik ara katmana gömülü küçük silikon köprüler kullanılır. Üretici yığını çoğu durumda TSMC'nin Tayvan'daki CoWoS hattına gönderir. Kore'den Tayvan'a giden bellek ihracatının HBM göstergesi sayılması bundandır.

Kat, kalıp ve kapasite

"12-Hi" ya da "12 katlı" ifadesi, 12 DRAM kalıbının üst üste konduğunu anlatır. Bu kat, NAND flash bellekteki "232 katman" ile aynı şey değildir. NAND'daki katmanlar tek bir kalıbın içindeki hücre katmanlarıdır, HBM'deki her kat ise ayrı üretilip inceltilen bütün bir kalıptır. Bu maddede die için "kalıp", yonga plakası için Dragonomi'nin kullandığı "wafer" kullanılır, Türkçe metinlerde geçen "levha" ise ikisinden birini anlatabilir.

Yığın kapasitesi, kat sayısı ile kalıp kapasitesinin çarpımıdır. Kalıp kapasitesi gigabit (Gb), yığın kapasitesi gigabayt (GB) ile anılır ve çevrim için 8'e bölünür. 24 Gb'lık 12 kalıp 288 Gb, yani 36 GB eder. Aynı kalıptan 16 tane 384 Gb, yani 48 GB eder. JEDEC'in HBM4'teki 64 GB'lık azami kapasitesi, 32 Gb'lık 16 kalıptan gelir (16 × 32 = 512 Gb). Micron'un HBM4'ü bu hesaba oturuyor. 12 katlı 36 GB sürüm sevkiyatta, 16 katlı 48 GB sürüm %33 fazla kapasiteyle numune aşamasında.

Yapay zekâda neden darboğaz oluşturur

Bir yapay zekâ çipinin hesap gücü, bellekten veriyi ne kadar hızlı çekebildiğiyle sınırlıdır. Bu sınıra bellek duvarı (memory wall) denir. Gholami ve arkadaşlarının 2024'te IEEE Micro'da yayımlanan çalışmasına göre son 20 yılda sunucuların tepe işlem gücü (FLOPS) her 2 yılda 3,0 kat, DRAM bant genişliği 1,6 kat arttı. Yirmi yıl on adet iki yıllık dönemdir. Bu da kabaca 60.000 kata karşı 100 kat eder (3'ün ve 1,6'nın onuncu kuvvetleri), yani bayt başına düşen işlem kapasitesi yaklaşık 600 kat büyüdü.

Duvar en sert biçimde büyük dil modellerinin çıkarım (inference) aşamasında hissedilir. İlk evre olan prefill, kullanıcının metnini bir seferde işler ve hesap ağırlıklıdır. İkinci evre olan decode, cevabı token token üretir. Yoğun bir modelde her yeni token için ağırlıkların tamamı bellekten bir kez okunur, bu nedenle üretim hızını bant genişliği belirler. Varsayımsal 70 milyar parametreli bir model, parametre başına 2 baytla 140 GB tutar. Blackwell'in 8 TB/s'siyle bu ağırlıklar saniyede en fazla yaklaşık 57 kez okunabilir (8.000 ÷ 140 ≈ 57), tek kullanıcılı decode hızının teorik tavanı da saniyede 57 token olur. Rubin'in 22 TB/s'si tavanı yaklaşık 157 tokene çıkarır.

İstekleri toplu işlemek (batch) ağırlık okumasını kullanıcılar arasında paylaştırır, ama bu kez KV önbelleği (key-value cache, anahtar-değer önbelleği) büyür. Dikkat mekanizması önceki her token için bu ara değerleri saklar ve HBM'de tutar. Boyutu model yapısından hesaplanabilir. Meta'nın Llama 3 70B modelinde 80 katman, 8 KV başı ve baş başına 128 boyut vardır. Anahtar ve değer için iki kopya ve 2 baytlık sayılarla token başına 80 × 8 × 128 × 2 × 2 = 327.680 bayt, yaklaşık 0,33 MB gerekir. 128 bin tokenlik (131.072) bir bağlamda bu, tek kullanıcı için yaklaşık 43 GB eder, yani Rubin'in 288 GB'ının yedide birinden fazlası tek bir uzun oturuma gider. Uzun bağlamlı ve ajan tipi uygulamalar yayıldıkça kapasite de bant genişliği kadar önem kazandı.

Bellek bu nedenle hızlandırıcının en pahalı kalemi hâline geldi. Epoch AI'nin Aralık 2025 tarihli analizine göre Nvidia B200'ün toplam değişken üretim maliyeti yaklaşık 6.250 $. Bunun yaklaşık 2.900 $ ile %46'sı 192 GB HBM3E'ye (gigabayt başına 14-17 $ varsayımıyla), yaklaşık 1.100 $'ı CoWoS-L paketlemeye, yaklaşık 900 $'ı iki mantık kalıbına gidiyor. Bellek, GPU'nun kendi silikonundan üç kattan fazla pahalıdır (2.900 ÷ 900 ≈ 3,2).

Kısa tarihçe ve nesiller

Fikirden standarda

HBM'in kökü, AMD'nin 2008'de Bryan Black liderliğinde başlattığı yığma bellek çalışmalarına uzanır. AMD ile SK hynix fikri 2010'da standart kuruluşu JEDEC'e (Joint Electron Device Engineering Council) önerdi. JEDEC, HBM'i Ekim 2013'te JESD235 numaralı standart olarak kabul etti, ilk HBM çipini de aynı yıl SK hynix üretti.

HBM kullanan ilk ürün, 24 Haziran 2015'te çıkan AMD Radeon R9 Fury X oldu. Fiji GPU'sunun yanındaki dört adet 1 GB'lık HBM1 yığını, 4.096 bitlik veri yoluyla 512 GB/s sağlıyordu. Samsung Ocak 2016'da HBM2'nin seri üretimine başladı. Aynı yıl TSMC CoWoS ile paketlenen Nvidia Tesla P100 (16 GB, 720 GB/s), HBM'in ağırlık merkezini oyun kartlarından veri merkezine kaydırdı.

HBM3 standardı JESD238, 27 Ocak 2022'de yayımlandı. Pin hızı 6,4 Gb/s'ye, yığın başına bant genişliği 819 GB/s'ye çıktı (1.024 × 6,4 ÷ 8 ≈ 819). İlk ürünler standardın altında çalıştı. Nvidia H100 beş etkin yığınla 3,35 TB/s verir, bu da yığın başına 670 GB/s ve pin başına yaklaşık 5,2 Gb/s eder (670 × 8 ÷ 1.024). Nisan 2025'te gelen HBM4 standardı JESD270-4 veri yolunu 2.048 bite çıkardı ve 4 ile 16 kat arası yığınları tanımladı.

Nesil numaraları ve hız karmaşası

KED Global gibi Kore yayınları nesilleri sıra numarasıyla anar. HBM, HBM2, HBM2E ve HBM3 ilk dört nesil sayıldığı için HBM3E "5. nesil", HBM4 "6. nesil", HBM4E "7. nesil" olarak geçer. "6. nesil HBM" diye başlayan bir haber HBM6'yı değil HBM4'ü anlatır.

İkinci karışıklık standart hız ile ürün hızı arasındadır. Nvidia, Vera Rubin için JEDEC'in 8 Gb/s'sinin çok üstünde, 10-11 Gb/s'nin üzerinde hız istedi. SK hynix 12 Eylül 2025'te 10 Gb/s'yi aşan HBM4'ün geliştirmesini tamamladı, Samsung'un Şubat 2026'da seri üretime aldığı HBM4 11,7 Gb/s'ye, Micron'unki 11 Gb/s'nin üzerine çıkıyor.

Nvidia, Mart 2025'teki GTC'de Rubin için 13 TB/s bant genişliği hedefi vermişti. Ocak 2026'da CES'te Rubin'in tam üretime geçtiğini duyurdu ve 8 yığında 288 GB HBM4 ile 22 TB/s açıkladı. 2.048 bitlik yığınlarla 13 TB/s pin başına yaklaşık 6,3 Gb/s eder (13.000 ÷ 8 = 1.625 GB/s, 1.625 × 8 ÷ 2.048 ≈ 6,3), 22 TB/s ise yaklaşık 10,7 Gb/s. Hedef on ayda JEDEC sınırının altından yaklaşık %35 üstüne çıktı. Fury X'in 512 GB/s'sinden Rubin'e, on bir yılda GPU başına bellek bant genişliği yaklaşık 43 kat arttı.

Kapasite de rekabet konusu oldu. AMD'nin Instinct MI455X'i GPU başına 432 GB HBM4 ve 19,6 TB/s ile Rubin'den %50 fazla kapasite sunuyor, 72 GPU'luk Helios rafında toplam HBM4 31 TB'a ulaşıyor. GTC 2025 yol haritası, 2027'nin ikinci yarısındaki Rubin Ultra'ya paket başına 1 TB HBM4E koymuştu. Bu, 32 Gb'lık kalıplı 16 katlı 16 yığından gelir (16 × 32 Gb = 512 Gb = 64 GB, 16 × 64 GB = 1.024 GB). Değer bir yol haritası hedefidir, Nvidia son yapılandırmayı kesinleştirmedi.

Talep, kapasite ve pazar büyüklüğü

HBM talebi iki çarpandan doğar, hızlandırıcı sayısı ve hızlandırıcı başına bellek. Nvidia'nın ürün verilerine göre GPU başına HBM, H100'de 80 GB, H200'de 141 GB, B200'de 192 GB, Rubin'de 288 GB. SemiAnalysis'e göre Google TPU'ları ve Amazon Trainium3 de 8 katlı HBM3E yığınlarından 12 katlılara geçiyor. Varsayımsal 1 milyon Rubin GPU'su 288 milyon GB HBM, yani 36 GB'lık 8 milyon yığın ve 96 milyon DRAM kalıbı ister. Müşteri tabanı dardır. SK hynix'in Temmuz 2026'daki Nasdaq kotasyonu için hazırladığı izahnameye göre en büyük müşterisi 2025 gelirinin %23,9'unu oluşturdu.

Pazar büyüklüğünde en düzenli seriyi Micron veriyor. Şirket Aralık 2025'te HBM pazarının 2025'teki yaklaşık 35 milyar $'dan yıllık %40 civarı büyümeyle 2028'de 100 milyar $'a çıkacağını söyledi. Micron'a göre bu 2028 tahmini, 2024'teki bütün DRAM pazarından büyüktü. Haziran 2026'da şirket 100 milyar $ eşiğini 2027'ye çekti. HBM üreticinin gelirinde de ağırlık kazandı. SK hynix'e göre HBM 2024'ün son çeyreğinde şirketin DRAM gelirinin %40'ını aştı, 2025'te HBM geliri iki katından fazla arttı.

Kapasitede Dragonomi'deki Bellek Kıtlığı yazısının aktardığı SemiAnalysis verileri seriyi veriyor. Üç büyük üreticinin HBM'e ayırdığı kapasite 2023 sonunda ayda 123 bin wafer, 2025 sonunda 331 bin wafer oldu. 2026 sonunda 473 bin, 2027 sonunda 668 bin wafer bekleniyor, yani dört yılda 5 kattan fazla artış (668 ÷ 123 ≈ 5,4). Aynı tahmine göre HBM 2027 sonunda toplam DRAM talebinin %10'undan fazlasını oluşturacak. Reuters'ın 29 Eylül 2026 haberine göre Samsung'un icra başkan yardımcısı Kim Taewoo, HBM'in sektör DRAM kapasitesindeki payını Eylül 2026 itibarıyla yaklaşık %20, 2027 için %30'a yakın görüyor.

Pazar payları ve üreticiler

2026 itibarıyla HBM'i seri hâlde üreten şirketler SK hynix, Samsung ve Micron'dur. Çin'de CXMT numune ve küçük ölçekli üretim aşamasında. Seoul Economic Daily'nin 3 Eylül 2026'da aktardığı Counterpoint verileri tek bir çeyrekteki kaymayı gösteriyor.

Samsung HBM payını bir çeyrekte 12 puan artırdı, SK hynix 8, Micron 3 puan kaybetti. Counterpoint'e göre ikinci çeyrekteki HBM gelirinin büyük kısmı hâlâ HBM3E'den geliyor. Toplam DRAM'de sıralama farklıdır. Aynı çeyrekte Samsung %38 ile lider, SK hynix'in payı bir yılda 14 puan düşerek %25'e indi, CXMT %10'a ulaştı. HBM'in lideri toplam DRAM'de ikinci sırada.

SK hynix 2025'te 97,1 trilyon won gelir ve 47,2 trilyon won faaliyet kârı açıkladı, marj %49 oldu. Bu kâr, Samsung Electronics'in bütün iş kollarını kapsayan ve ön açıklanan 43,53 trilyon wonluk faaliyet kârını geçti. 2026'nın ikinci çeyreğinde SK hynix'in geliri 79,32 trilyon won, faaliyet kârı 60,54 trilyon won oldu ve marj %76'ya çıktı. Micron'un 28 Mayıs 2026'da biten çeyreğinde gelir bir yıl önceki 9,30 milyar $'dan 41,456 milyar $'a çıktı, GAAP brüt marj %84,6 oldu.

Üretim zinciri ve wafer cezası

HBM'in pahalılığının asıl kaynağı silikon tüketimidir. Micron'da HBM tasarım mimarisinden sorumlu kıdemli uzman (fellow) Raghu Sreeramaneni, 23 Ağustos 2026'da Hot Chips'te HBM3E'nin aynı bit miktarı için DDR5'in yaklaşık 3 katı wafer tükettiğini söyledi. Sektör bu farka wafer cezası ya da takas oranı (trade ratio) diyor. Sreeramaneni'ye göre ceza her nesilde büyüyor. Bir HBM4 kalıbında 256 bank (bağımsız erişilebilen bellek bloğu) var, bir DDR5 kalıbında 32. Paralel banklar, veri yolları, güç dağıtımı ve TSV'ler, bellek hücresine ayrılabilecek alanı kaplıyor.

TrendForce'un Haziran 2026 verileri aynı olguyu başka bir açıdan gösteriyor. Üç büyük tedarikçide HBM'in DRAM wafer girdisindeki payı 2025 sonunda yaklaşık %18, 2026 sonunda %22, 2027 sonunda %30. DRAM bit arzındaki payı ise sırasıyla yalnızca %8, %9 ve %13. Bu iki paydan takas oranı geri hesaplanabilir. 2026 sonunda HBM, wafer'ın %22'siyle bitlerin %9'unu üretir, oran 9 ÷ 22 ≈ 0,41'dir. Geri kalan DRAM, wafer'ın %78'iyle bitlerin %91'ini üretir, oran 91 ÷ 78 ≈ 1,17'dir. İkisinin bölümü 1,17 ÷ 0,41 ≈ 2,9 eder ve Micron'un "yaklaşık 3 kat" tespitiyle tutarlıdır. Paylar yuvarlak olduğu için sonuç bir büyüklük sırası olarak okunmalı.

HBM büyüdükçe sunucu, bilgisayar ve telefon belleğinin bit arzı daralır. TrendForce'un ölçtüğü, 2026'nın ilk çeyreğindeki çeyreklik %93-98'lik DRAM sözleşme fiyatı artışı bu sıkışmanın fiyattaki yansımalarından biridir.

HBM4 ile taban kalıp bir mantık (logic) ürününe dönüştü ve üretimi dökümhanelere kaydı. SK hynix 18 Nisan 2024'te TSMC ile mutabakat imzaladığını duyurdu, TSMC de 2024 Teknoloji Sempozyumu'nda HBM4 taban kalıplarının N12FFC+ ve N5 süreçlerinde üretileceğini açıkladı. Müşteriye özel (custom) HBM4E için TSMC'nin N3P tabanlı C-HBM4E'si gündemde. Samsung taban kalıbı kendi 4 nm sürecinde üretiyor, Micron HBM4E için TSMC'ye gidiyor. Custom taban kalıpla alıcı, kendi mantık devresini yığının içine koyabiliyor.

Paketlemede belirleyici isim TSMC. Şirket 14 Mayıs 2026'daki sempozyumunda 2029'da 24 HBM yığını taşıyan CoWoS sürümlerini hedeflediğini söyledi. TrendForce'un aktardığı sektör tahminlerine göre aylık CoWoS kapasitesi 2026 sonunda yaklaşık 125 bin, 2027 sonunda 170 bin, 2028 sonunda 260 bin wafere çıkacak.

İstifleme teknikleri ve verim

Standardın iç ayrıntıları

HBM3 standardı bağımsız kanal sayısını 8'den 16'ya, sözde kanal (pseudo-channel, bir kanalın iki yarıya bölünüp ayrı çalışması) yöntemiyle sanal olarak 32'ye çıkardı ve kalıp üzerinde hata düzeltme (on-die ECC) ekledi. HBM4 kanal sayısını 32'ye taşıdı ve üreticiye özgü gerilimlere izin verdi. G/Ç gerilimi (VDDQ) 0,7 ile 0,9 V arasındaki dört değerden, çekirdek gerilimi (VDDC) 1,0 ya da 1,05 V'tan biri olabiliyor, böylece her üretici hız ve güç arasında kendi dengesini kuruyor. Bir bellek satırına çok sık erişip komşu satırdaki bitleri bozan row-hammer saldırılarına karşı DRFM (Directed Refresh Management, hedefli yenileme yönetimi) eklendi.

MR-MUF ve TC-NCF

MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill, toplu reflow ve reçine dökümlü dolgu), SK hynix'in istifleme yöntemidir. Kalıplar tek bir ısıl işlemle (reflow) birlikte bağlanır, aradaki boşluk sıvı bir koruyucuyla doldurulur ve yığın epoksi reçineyle dökülerek kaplanır. Samsung ve Micron'un kullandığı TC-NCF'de (Thermo-Compression Non-Conductive Film, termokompresyon ve iletken olmayan film) her kat arasına iletken olmayan bir film konur ve her kat yaklaşık 300°C'de basınçla tek tek bastırılır.

SK hynix, Hot Chips 2026'da iki yöntemin ödünlerini kendi slaytında sıraladı. TC-NCF'nin üretkenliği yüksek, termal direnci düşük, ama kalıbın eğilmesine hassas. MR-MUF ince kalıplardaki eğilmeye daha dayanıklı, buna karşılık termal direnci daha yüksek ve dolgu penceresi daha dar. Yöntemin sahibinin çizdiği bu tablo, MR-MUF'u her açıdan üstün gösteren yaygın anlatımı düzeltir. SK hynix MR-MUF'u ilk kez 2019'da geliştirdiği HBM2E'de uyguladı, Nisan 2023'te tanıttığı ilk 12 katlı HBM3'te (24 GB) kalıplar 8 katlı sürüme göre %40 daha inceydi.

Hibrit bağlama ve yükseklik sınırı

Hibrit bağlama (hybrid bonding), kalıpları tümseksiz ve doğrudan bakır-bakır bağlar. Bağlantı aralığını (pitch) 10 µm'nin altına indirebilir, mikro-tümseklerde bu değer 40-55 µm'dir. Takvimini ise yükseklik sınırı belirliyor. TrendForce'a göre JEDEC, HBM4'te paket yüksekliği sınırını 720 µm'den standart mantık wafer kalınlığı olan 775 µm'ye gevşetti. Böylece 16 katlı yığınlar mevcut mikro-tümseklerle üretilebildi ve hibrit bağlama ertelendi, 20 katlı HBM5 için tartışılan 825-900 µm'lik sınır geçişi daha da geciktirebilir. SK hynix Hot Chips 2026'da hibrit bağlamanın tümsek aralığını 18 µm'nin altına indirdiğini, aynı yükseklikte daha kalın kalıplara ve 20'den fazla kata imkân verdiğini anlattı. Şirket yine de Rubin nesli boyunca MR-MUF'ta kalacak.

Ekipman ve verim

HBM'e özel TC bağlayıcılarda (thermo-compression bonder) Hanmi Semiconductor yaklaşık %71 payla lider. TrendForce'un Aralık 2025 kronolojisine göre Hanmi, Aralık 2024'te Hanwha Semitech'e patent davası açmıştı. SK hynix Mart 2025'te Hanwha'dan da sipariş verince Hanmi, Nisan 2025'te SK hynix'teki yaklaşık 60 destek mühendisini geri çekti. 2024 sonunda zincire giren ASMPT, SK hynix'in HBM4 hattındaki yaklaşık 50 TC bağlayıcının yarısına yakınını sağladı. Hanmi yine de Haziran 2026'da SK hynix'ten 28,7 milyon $'lık TC Bonder 4.5 Griffin siparişi aldı. Nomad Semi'ye göre bir TC bağlayıcı 1-2 milyon $, bir hibrit bağlayıcı yaklaşık 3 milyon $ tutuyor. Hibrit bağlamada BESI, kalıp inceltme ve kesmede Disco izlenir.

Verim matematiği de yığını pahalılaştırır. Nomad Semi'nin örneğinde kalıp verimleri basitçe çarpılırsa %95'lik kalıp verimi 8 katlı yığında yaklaşık %66'ya (0,95'in 8. kuvveti), 16 katlıda %44'e iner. Bu model kötümserdir. Kalıplar istiflenmeden önce KGD (known good die, sağlamlığı bilinen kalıp), yığınlar da KGSD (known good stacked die, sağlamlığı bilinen yığın) testinden geçer. Bozuk kalıp çoğu zaman yığına girmez, asıl risk bağlama adımında birikir. Bu testler süreyi uzattığı için HBM testi, Advantest, FormFactor, Techwing ve Hangzhou Changchuan Technology gibi şirketler üzerinden ayrı bir yatırım teması oldu. MR-MUF veriminin TC-NCF'den ortalama %20 yüksek olduğu iddiası ise doğrulanmamış bir sektör görüşüdür.

Az bilinen kırılma anları

HBM'in 2026'daki hâkimiyeti kaçınılmaz değildi. Micron'un geliştirdiği ve DDR3'e göre 15 kat hız vaat eden Hybrid Memory Cube (HMC), 2011'de Samsung'un da kurucu üyesi olduğu bir konsorsiyumla rakip standart olarak yola çıktı. Ama JEDEC, AMD ve Nvidia'nın desteklediği HBM kazandı. Micron Ağustos 2018'de HMC'yi bırakıp HBM ve GDDR6'ya döndü.

Samsung daha pahalı bir hata yaptı. Digitimes ve Korea JoongAng Daily'ye göre şirket 2019'da HBM pazarının büyümesinin abartıldığına karar verip HBM Ar-Ge ekibini dağıttı. 2023'te üretken yapay zekâ talebi patladığında istikrarlı HBM3 üreten neredeyse yalnızca SK hynix vardı. Reuters, 24 Mayıs 2024'te Samsung çiplerinin ısı ve güç sorunları nedeniyle Nvidia testlerini geçemediğini yazdı. Samsung, 12 katlı HBM3E'de Nvidia'nın yeterlilik onayını (qualification, müşterinin ürünü kendi platformunda test edip seri alıma onay vermesi) ancak Eylül 2025'te, yaklaşık 18 ay gecikmeyle aldı ve Blackwell döngüsünü kaçırdı.

Sonra rüzgâr döndü. Samsung Şubat 2026'da 1c DRAM ve kendi 4 nm taban kalıbıyla HBM4'ün seri üretimine ve sevkiyatına başladı. KED Global bunu nesli ilk seri üreten firma olarak sundu, oysa SK hynix de Eylül 2025'te dünyanın ilk HBM4 seri üretim sistemini hazırladığını duyurmuştu. KED Global'e göre Samsung dört ayda HBM4'ten yaklaşık 1 milyar $ (yaklaşık 1,36 trilyon won) gelir elde etti.

Micron ise HBM3'ü atlayıp HBM2E'den doğrudan HBM3E'ye geçti ve 2024'te, %30 daha düşük güç iddiasıyla Nvidia H200'e 8 katlı HBM3E sevk eden ilk tedarikçi oldu.

Unutulan bir deney de HBM-PIM'dir (processing-in-memory, bellek içi işlem). Samsung, HBM2 yığınına yapay zekâ işlem birimleri gömdüğü HBM-PIM'i Şubat 2021'de tanıttı ve Ağustos 2021'de Hot Chips 33'te Aquabolt-XL adıyla sonuçlarını paylaştı. Xilinx Alveo'da başarım yaklaşık 2,5 kat arttı, enerji tüketimi %60'tan fazla düştü. Ana akım olmadı, ama custom taban kalıbın öncülü sayılabilir.

Fiyat ve sözleşme mekaniği

Standart DRAM çeyreklik sözleşmelerle ve DRAMeXchange'de izlenen spot fiyatlarla satılır, HBM'de ise hacim ve fiyat genellikle bir yıl önceden pazarlıkla belirlenir. TrendForce'a göre 2026 HBM3E pazarlıkları Mayıs 2025'te alıcıların güçlü olduğu bir ortamda başladı, üçüncü çeyrekte kıtlık çıkınca güç tedarikçiye geçti. TrendForce Eylül 2026'da 2027 için karma HBM ortalama satış fiyatında yıllık %121 artış öngördü, yani fiyatın iki katını aşması bekleniyor.

Yıllık düzen 2025-2026'da çok yıllık anlaşmalara dönüştü. LTA (long-term agreement, uzun vadeli tedarik anlaşması), birkaç yılı kapsayan hacim ve fiyat taahhüdüdür. Micron'un Stratejik Müşteri Anlaşmaları (SCA) 16 anlaşmadan ve toplam yaklaşık 22 milyar $ nakit ve finansal taahhütten oluşuyor, bunun yaklaşık 18 milyar $'ı nakit depozito. Anlaşmalar 5 yıllık, iptal edilemez ve al ya da öde (take-or-pay) yapısındadır, yani müşteri ürünü almasa da bedelini öder. Fiyat taban-tavan bandı içinde çeyreklik belirleniyor, depozitolar anlaşma süresince kademeli olarak iade ediliyor. SK hynix de 2026 ikinci çeyrek sonuçlarında yaklaşık 10 müşteriyle LTA'yı tamamladığını açıkladı.

Bu yapı 2026'da bir paradoks üretti. TrendForce'a göre HBM3E tarihsel olarak sunucu DDR5'inden 4-5 kat pahalıydı ve bu primin 2026 sonuna kadar 1-2 kata inmesi bekleniyor. HBM fiyatları yıllık sözleşmelerle kilitliyken emtia DRAM fiyatları patladı. 2026'nın ilk çeyreğinde DDR5 64 GB RDIMM'in (sunucu bellek modülü) wafer başına geliri HBM'i geçti. SK hynix'in HBM sözleşme fiyatları da 2026'da düştü.

Paradoks wafer cezasıyla birlikte açıklanır. Varsayımsal bir hesapta HBM aynı bit için DDR5'in 3 katı wafer tüketsin. Bit başına fiyat primi 4-5 kat iken HBM'in wafer başına geliri DDR5'in 1,3-1,7 katıdır (4 ÷ 3 ≈ 1,33 ve 5 ÷ 3 ≈ 1,67). Prim 1-2 kata inince oran 0,33-0,67'ye düşer ve HBM'e ayrılan wafer, DDR5'e ayrılandan daha az gelir getirir. Üreticilerin 2027 tekliflerindeki sert artış isteği bu aritmetikle birlikte okunmalı.

Gigabayt başına fiyat da aynı yöne işaret ediyor. Seoul Economic Daily, 31 Ağustos 2026'da Kore Uluslararası Ticaret Derneği verisine dayanarak 36 GB HBM3E'nin LTA fiyatını 0,5-0,7 milyon won olarak verdi. Yaklaşık 1.400 won/$ kuruyla bu, gigabayt başına 10-14 $ eder (500.000 ÷ 1.400 ÷ 36 ≈ 9,9 ve 700.000 ÷ 1.400 ÷ 36 ≈ 13,9). SemiAnalysis ise DDR5'in 2026'nın ilk çeyreği sonunda gigabayt başına yaklaşık 14 $'a çıkacağını öngörmüştü. Yani sözleşmeli HBM3E, gigabayt başına emtia DDR5'ten ucuza satılır hâle gelmişti. Aynı habere göre spot piyasada 36 GB HBM3E yaklaşık 2,87 milyon won'a (yaklaşık 2.100 $) el değiştiriyor. Bu, LTA'nın yaklaşık 4-6 katıdır (2,87 ÷ 0,7 ≈ 4,1 ve 2,87 ÷ 0,5 ≈ 5,7, haber 4-5 kat diyor), ama sözleşmesi olmayan alıcıların başvurduğu ince bir ikincil piyasadır. Haber, Samsung'un bellek biriminin toplam kapasitesinin yaklaşık %70'ini 2031'e kadar müşterilere bağladığını da yazıyor.

Muhasebe ve raporlama tuzakları

HBM üzerine yapılan finansal analizlerde yedi tuzak sık görülür.

Birincisi, şirketler HBM gelirinin tutarını ayrı raporlamaz. Micron telekonferanslarda zaman zaman rakam verir, SK hynix HBM'in DRAM gelirindeki payını ya da büyümesini açıklar. Gerisi gelir, bit, wafer ya da kapasite payı olabilen kurum tahminidir ve benzer ölçülerde bile ayrışır. HBM'in 2027'deki DRAM payı Samsung'dan Kim Taewoo'ya göre kapasitenin %30'a yakını, TrendForce'a göre wafer girdisinin %30'u (Haziran 2026), SemiAnalysis'e göre wafer kapasitesinin %35'i (Şubat 2026). Aynı çeyrekte de ayrışma olur. IDC, SK hynix'in 2026 ilk çeyrek HBM gelir payını %56,4, Counterpoint %58 veriyor.

İkincisi, pazar büyüklüğü (TAM, total addressable market, toplam erişilebilir pazar) tahminleri hızla eskir ve oranlarıyla birlikte denetlenmelidir. Dragonomi'deki bir Sina analizinde 2026 HBM pazarı %58 büyümeyle 54,6 milyar $ ve "DRAM pazarının neredeyse %40'ı" diye geçiyor. Büyüklük tutarlıdır, 54,6 ÷ 1,58 ≈ 34,6 milyar $ eder ve Micron'un 2025 için verdiği yaklaşık 35 milyar $'la örtüşür. Oran ise tutmaz. TrendForce'a göre yalnızca 2026'nın ilk çeyreğinde DRAM geliri 97 milyar $'dı. Bu çeyreği dörtle çarpmak bile yıllık 388 milyar $ eder ve 54,6 milyar $ bunun yaklaşık %14'ü kalır. %40 oranı büyük olasılıkla fiyat patlamasından önceki bir DRAM pazarı tahminine dayanıyor.

Üçüncüsü, müşteri depozitosu gelir değildir. Micron yönetimine göre SCA nakdi serbest nakit akışında değil finansman nakit akışında görünecek ve iade edilecek. Micron'un 10-Q beyanlarında diğer kısa vadeli yükümlülükler içinde bir kalem var. Fiyat düzeltmeleri ve iadeler dahil "müşterilere ödenecek bedel tahmini", 28 Ağustos 2025'teki 1,19 milyar $'dan 26 Şubat 2026'da 2,55 milyar $'a çıktı. Bantlı fiyatlama döneminde bu kalem, açıklanan gelirin ne kadarının geri verilebileceğine dair bir ipucudur.

Dördüncüsü, net kâr faaliyet dışı kalemlerle şişebilir. SK hynix'in 2026 ikinci çeyrek net kârı 93,92 trilyon won ile faaliyet kârını yaklaşık 33,4 trilyon won aştı. Farkın kaynağı yaklaşık 63,3 trilyon wonluk (vergi öncesi) yatırım varlığı kazancıdır. Bu kârla hesaplanan F/K, bellek işinin kazanma gücünü olduğundan yüksek gösterir.

Beşincisi, ihracat rejimi değişince stok değer düşüklüğü doğabilir. Samsung, 2025'in ikinci çeyreğinde faaliyet kârının 4,7 trilyon won'a inmesini kısmen Çin kısıtlamalarından doğan stok düzeltmelerine bağladı. Nvidia da H20'ye Nisan 2025'te getirilen lisans şartı yüzünden 2026 mali yılının ilk çeyreğinde 4,5 milyar $ stok ve alım yükümlülüğü gideri yazdı.

Altıncısı, manşetler bağlayıcı olmayabilir. Nvidia ile SK Group'un 24 Temmuz 2026'da açıkladığı, HBM4 tedarikini de kapsayan 500 milyar $'ın üzerindeki ortaklık bir niyet mektubudur. Samsung ile Broadcom'un 25 Temmuz 2026'daki, 2030'a kadar 200 milyar $'ın üzerinde olduğu söylenen mutabakatı da bağlayıcı değil.

Yedincisi, HBM'i emtia DRAM'den ayırmak bir analist tercihidir. Citi, SK hynix'i parçaların toplamı (SOTP) yöntemiyle ikiye bölüyor. HBM'e 8,6 kat, emtiaya 7,4 kat EV/FAVÖK (firma değeri bölü faiz, amortisman ve vergi öncesi kâr) uyguluyor ve HBM için TSMC'yi emsal alıyor. Tez, custom taban kalıpla HBM'in dökümhane benzeri bir işe dönüşmesidir. HBM geliri açıklanmadığından bölünmenin kendisi bir tahmindir.

ABD, Çin ve Kore arasında HBM

ABD Ticaret Bakanlığı'na bağlı Sanayi ve Güvenlik Bürosu (BIS), 2 Aralık 2024 tarihli ara kuralla HBM'i ihracat denetim sınıflandırmasında ECCN 3A090.c altına aldı. Kapsama "bellek bant genişliği yoğunluğu" 2 GB/s/mm²'yi aşan her HBM giriyor. Hükümler 31 Aralık 2024'te yürürlüğe girdi, Yabancı Doğrudan Ürün kuralları Kore'de üretilen HBM'i de kapsadı ve müttefik paketleme tesisleri için "License Exception HBM" istisnası getirildi. Eşik düşüktür. Kaba bir hesapla SK hynix'in HBM4 paketi 12,8 × 11 = 140,8 mm² alan kaplar. 2.048 GB/s bu alana bölününce yaklaşık 14,5 GB/s/mm², yani eşiğin 7 katından fazlası çıkar.

Kuralın inceliği paket içi HBM'dedir. National Law Review'un analizine göre ana işlevi hesaplama olan ve HBM'le birlikte paketlenmiş entegre devreler 3A090.c dışında tutuluyor ve mantık kuralına (3A090.a) göre değerlendiriliyor. Yani çıplak yığının Çin'e satışı yasakken GPU paketinin içindeki HBM, çipin lisansına tabi. Nisan 2025'teki lisans şartına kadar Nvidia'nın HBM3'lü H20'si Çin'e HBM taşıyan fiilî kanaldı. Aralık 2025'te ABD Başkanı'nın duyurduğu ve 15 Ocak 2026'da BIS'in vaka bazında inceleme politikasına dönüşen izinle H200 (141 GB HBM3E, 4,8 TB/s) yeni kanal oldu. H200 izinleri %25'lik gümrük şartına bağlandı, ilk küçük lisans Şubat 2026'da çıktı. Kısıtlamadan önce Çin stok yaptı. Reuters'a göre ağırlıkla HBM2E'den oluşan bu alımlarla Çin, 2024'ün ilk yarısında Samsung'un HBM gelirinin yaklaşık %30'unu oluşturdu. Micron 2023'ten beri Çin'e HBM satmıyor.

Çin'in yerli çabası iki kolda ilerliyor. Huawei Eylül 2025'te kendi HBM'lerini tanıttı. HiBL 1.0 (128 GB, 1,6 TB/s) prefill için Ascend 950PR'ye, HiZQ 2.0 (144 GB, 4 TB/s) decode ve eğitim için Ascend 950DT'ye ayrıldı. Bu, prefill ile decode farkının donanıma dökülmüş hâlidir. SemiAnalysis, Ascend üretimindeki asıl darboğazın HBM olduğunu yazıyor. İkinci kol CXMT. Şirket 2024'ün ikinci yarısında küçük hacimli HBM2 üretimine başladı, Huawei'ye HBM3 numunesi gönderdi ve 2026 sonunda HBM3 seri üretimini hedefliyor. Digitimes ve ChinaTalk'un derlediği haberlere göre 8 katlı HBM3'te verim yaklaşık %25. Eylül 2026'daki sektör haberlerine göre CXMT, Alibaba'nın çip birimi T-Head ile Cambricon'a yeterlilik almamış küçük ölçekli HBM3E numuneleri gönderiyor. Basındaki "HBM3E üretimine başladı" haberleri bu erken aşamayı olduğundan ileride gösteriyor. Bu rakamların çoğu tek kaynaklıdır.

Kore için HBM her şeyden önce bir ihracat meselesidir. Kore Ticaret, Sanayi ve Kaynaklar Bakanlığı'na göre yarı iletken ihracatı Ağustos 2026'da yıllık bazda %209 artışla 46,65 milyar $ rekoruna ulaştı ve toplam mal ihracatının %47,5'ini oluşturdu. ABD ise kapasiteyi kendi topraklarına çekmeye çalışıyor. SK hynix'in yaklaşık 3,87 milyar $'lık Indiana paketleme tesisi 2028'in ikinci yarısında açılacak. Reuters'ın 16 Eylül 2026 haberine göre SK hynix, Intel'in Ohio tesisinde bellek üretimi seçeneğini araştırıyor, ama kesin plan olmadığını açıkladı. Üretim ileri DRAM ya da HBM teknolojisini kapsarsa Kore hükümetinin teknoloji transferi onayı gerekecek.