İçeriğe geç

Hangzhou Silan Microelectronics — SiC genişlemesi

Hangzhou Silan Microelectronics, 2025 yılında 13,052 milyar yuan gelir elde ederek yıllık %16,32 büyüme kaydetti. Şirket, yüksek giriş engelli pazarlardan elde ettiği gelir payını %80'in üzerine çıkararak ve silisyum karbür (SiC) ile yüksek uç analog entegre devre yongası kapasitesini hızla

Hangzhou Silan Microelectronics, 2026 yılının ilk çeyreğinde ana şirket hissedarlarına ait net karını bir önceki çeyreğe göre %322 artırdı. Şirket, büyük beyaz eşya, iletişim, sanayi, yeni enerji ve otomotiv gibi yüksek giriş engelli pazarlardan gelirinin %80'inden fazlasını elde ediyor. SiC MOSFET modülleri AI veri merkezi güç kaynaklarında seri olarak kullanılmaya başlandı.

Öne Çıkanlar

— Hangzhou Silan Microelectronics, 2025 yılında 13,052 milyar yuan gelir elde ederek yıllık %16,32 büyüme kaydetti.

— Şirketin 2025 yılı IPM modül geliri 3,648 milyar yuan olarak gerçekleşti ve yıllık %25 arttı.

Harika! Başarıyla kaydoldunuz.

Tekrar hoş geldiniz! Başarıyla giriş yaptınız.

Başarıyla Dragonomi abonesi oldunuz.

Başarılı! Giriş yapmak için sihirli bağlantıyı e-postanızda kontrol edin.

Başarılı! Fatura bilgileriniz güncellendi.

Faturanız güncellenmedi.