Çip ve Yapay Zeka — SiC sola, GaN sağa: veri merkezlerinde yeni güç mimarisi
Öne Çıkan Noktalar
— 2026 yılı veri merkezi yüksek gerilim mimarisi için dönüm noktası.
— SiC, oda tarafında (gri alan) baskın teknoloji olacak.
— GaN, kabin içinde (beyaz alan) yaygınlaşacak.
— 2030'da tek MW başına 1.0 milyon SiC ve 2.1 milyon GaN bileşen kullanılacak.
— Çinli şirketler SiC/GaN alanında küresel rekabette avantaj yakalıyor.
Detaylı Analiz
Yapay zeka iş yüklerinin yoğunlaşmasıyla veri merkezlerinde güç talebi patlıyor. Çin Uluslararası Sermaye Şirketi'nin (CICC) analizine göre, yüksek gerilim mimarisi bu sorunun tek çözümü.
Devamını okumak için lütfen giriş yapın
Hesabınız yoksa lütfen abone olun.
Hemen Abone Ol